Categorías de Producto

microprocesador del circuito integrado

[629]

Transistor del Mosfet del poder

[450]

componentes de la electrónica

[204]

Contacta

Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

Ver detalles de contacto

Contacta

Transistor del silicio del FET NPN del MOS del canal N del transistor del Pin 2SK2996 3

Preguntar último precio

Número de modelo :2SK2996

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :20pcs

Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal

Capacidad de la fuente :7900pcs

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

Corriente de salida de puerta :μA ±10

Voltaje de avería de Gate−source :±30 V

Drene la corriente del cut−off :μA 100

Voltaje de avería de Drain−source :600 V

Voltaje del umbral de la puerta :2,0 a 4,0 V

Drain−source EN resistencia :0,74 Ω

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

Oferta común (venta caliente)

Número de parte.

Cantidad

Marca

D/C

Paquete

L6599D	6828	ST	13+	SOP-16
L7805ABP	12978	ST	11+	TO-220F
L7812CV	60000	STM	14+	TO-220
L78L33ACUTR	38000	ST	15+	SOT-89
L78M05CDT	98000	ST	16+	TO-252
L78M08ABDT-TR	14698	ST	16+	SOT-252
L78M12CDT	101000	ST	13+	TO-252
L78S05CV	11629	ST	16+	TO-220
L78S12CV	4245	ST	16+	TO-220
L7985ATR	13028	STM	15+	HSOP-8
L9407F	3184	ST	15+	CREMALLERA
L9637D013TR	1520	ST	15+	COMPENSACIÓN
L9826TR	3101	ST	12+	SOP-20
LA4440	3580	SANYO	13+	ZIP-14
LA78040	15692	SANYO	14+	TO-220
LA78041	14769	SANYO	15+	TO-220
LA78045	16047	SANYO	13+	TO-220-7
LAN83C185-JT	2746	SMSC	16+	QFP64
LAN8710A-EZK-TR	5987	SMSC	13+	QFN32
LAN8710AI-EZK-TR	15547	SMSC	14+	QFN
LAN8720A-CP-TR	4876	MICROCHIP	16+	QFN24
LAN9115-MT	7959	MICROCHIP	09+	QFP
LCDA05.TBT	7787	SEMTECH	11+	SOP-8
LCMXO640C-3TN100C	4897	ENREJADO	12+	TQFP100
LCMZO640C-4TN100C	1113	ENREJADO	16+	QFP100
LCP02-150B1RL	6643	ST	16+	SOP-8
LD1086D2M33TR	4316	ST	14+	TO-263
LD1086V33	6714	ST	08+	TO-220
LD1117ADT18TR	51000	ST	15+	TO-252
LD1117S18TR	101000	ST	11+	SOT-223

Tipo del MOS del canal N del silicio del transistor de efecto de campo de TOSHIBA

(π−MOSV) 2SK2996

Usos del convertidor de DC−DC, de la impulsión de la retransmisión y de la impulsión del motor

Drain−source bajo EN resistencia: R_{DS(ENCENDIDO)} = 0,74 Ω (tipo.)

Alta entrada de transferencia delantera: |Y_fs| = 6,8 S (tipo.)

Corriente baja de la salida: I_DSS = μA 100 (máximo) (V_DS = 600 V)

Modo del aumento: _Th V = 2.0~4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1 mA)

Grados máximos absolutos (TA = 25°C)

Características		Símbolo	Clasificación	Unidad
Voltaje de Drain−source		V_DSS	600	V
Voltaje de Drain−gate (R_GS = kΩ 20)		V_DGR	600	V
Voltaje de Gate−source		V_GSS	±30	V
Drene la corriente	DC (nota 1)	I_D	10	A
Drene la corriente	Pulso (nota 1)	I_DP	30	A
Drene la disipación de poder (Tc = 25°C)		P_D	45	W
Sola energía de la avalancha del pulso (nota 2)		E_COMO	252	mJ
Corriente de la avalancha		I_AR	10	A
Energía repetidor de la avalancha (nota 3)		E_AR	4,5	mJ
Temperatura del canal		Tch	150	°C
Gama de temperaturas de almacenamiento		Tstg	−55~150	°C

Nota: El usar continuamente bajo cargas pesadas (e.g el uso de alta temperatura/de corriente/de voltaje y del cambio significativo en temperatura, el etc.) puede hacer este producto disminuir en la confiabilidad perceptiblemente incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir temperatura de funcionamiento/corriente/voltaje, etc.) están dentro de los grados máximos absolutos. Diseñe por favor la confiabilidad apropiada sobre el repaso del manual de la confiabilidad del semiconductor de Toshiba (“manejando concepto y los métodos de /Derating de las precauciones”) y los datos de confiabilidad individuales (es decir informe de prueba de confiabilidad y porcentaje de averías, etc estimados).

Peso: 1,9 g (tipo.)

Etiquetas de productos: