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Módulo de poder del Mosfet BSM50GP120, chips CI de la electrónica de IGBT 0,8 voltajes del umbral de V

Categorías de Producto

microprocesador del circuito integrado

 [629]

chips CI programables

 [290]

Chips de la placa de circuito

 [276]

Diodo de rectificador

 [509]

Transistor del Mosfet del poder

 [450]

3 pines del transistor

 [234]

RJ45 Ethernet Jack

 [15]

Sensor de presión del IC

 [55]

Módulo de potencia MOSFET

 [72]

SMD núcleo de ferrita

 [113]

el smd llevó el diodo

 [42]

Resistencias SMD

 [31]

Chips electrónicos IC

 [509]

componentes de la electrónica

 [204]
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Anterwell Technology Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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China Módulo de poder del Mosfet BSM50GP120, chips CI de la electrónica de IGBT 0,8 voltajes del umbral de V wholesale
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Módulo de poder del Mosfet BSM50GP120, chips CI de la electrónica de IGBT 0,8 voltajes del umbral de V
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Número de modelo :BSM50GP120
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :4500PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje delantero :1,05 V
Voltaje del umbral :0,8 V
resistencia de la cuesta :6,5 m Ω
Corriente reversa :3 mA
resistencia de la ventaja, terminal-microprocesador :4 m Ω
Temperatura de empalme máxima :°C 150
Temperatura de funcionamiento :°C -40 a 125
Temperatura de almacenamiento :°C -40 a 125
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Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
HIN202CBN 16402 INTERSIL 16+ COMPENSACIÓN
HIP0082AB 6910 INTERSIL 16+ HSOP
HIP4082IP 3469 INTERSIL 15+ DIP-16
HIP4082IPZ 7664 NTERSIL 16+ DIP-16
HJR-3FF-S-Z-24VDC 9641 TIANBO 13+ INMERSIÓN
HJR-3FF-S-Z-5VDC 12765 TIANBO 16+ INMERSIÓN
HK160882NJ-T 20000 TAIYO 16+ SMD
HK1608R47J-T 20000 TAIYO 15+ SMD
HM6264ALFP-10T 3440 HITACHI 16+ SOP-28
HMA121CR3V 15758 FAIRCHILD 09+ SOP-4
HMC241QS16ETR 6244 HITITA 15+ SSOP-16
HMC311SC70E 1242 HITITA 14+ SC70-6
HMC336MS8GE 2565 HITITA 13+ MSOP-8
HMC336MS8GETR 8737 HITITA 07+ MSOP
HMC349AMS8GE 4906 HITITA 16+ MSOP-8
HMC362S8G 1795 HITITA 12+ SOP-8
HMC429LP4ETR 1093 HITITA 15+ HCP-16
HMC476MP86E 2596 HITITA 15+ SOT-86
HMC539LP3ETR 1984 HITITA 12+ QFN
HMC618LP3ETR 1199 HITITA 10+ QFN
HN16012CG 7669 MINGTEK 13+ SOP-16
HN16613CG 9641 MINGTEK 13+ SOP-16
HN16614CG 3522 MINGTEK 16+ SOP-16
HR911105A 3493 HANRUN 14+ RJ45
HS01G 21143 EN 14+ SOP-8
HSMG-C170 89000 AVAGO 07+ SMD
HSMH-C170 92000 AVAGO 07+ SMD0805R
HSMM-A100-S00J1 26000 AVAGO 14+ SMD
HSMP-3816-TR1G 5933 AVAGO 15+ SOT23-5
HSMS-2820-TR1G 36000 ACVAGO 13+ SOT-23

 

 

IGBT-módulo BSM50GP120

 

Propiedades eléctricas

 

Valores clasificados máximos

Rectificador de diodo

voltaje reverso máximo repetidor   VRRM 1600 V
Corriente delantera del RMS por microprocesador   IFRMSM 40 A
DC remite la corriente TC = 80°C Id 50 A
la oleada remite la corriente

tP = 10 ms, vjde T = 25°C

tP = 10 ms, vjde T = 150°C

 IFSM

500

400

 A
I 2 t - valor

tP = 10 ms, vjde T = 25°C

tP = 10 ms, vjde T = 150°C

 I 2 t

1250

800

 2 s

 

Esquema circular

Módulo de poder del Mosfet BSM50GP120, chips CI de la electrónica de IGBT 0,8 voltajes del umbral de V

 

Esquemas del paquete

Módulo de poder del Mosfet BSM50GP120, chips CI de la electrónica de IGBT 0,8 voltajes del umbral de V

 

 

 

Etiquetas de productos:

igbt gate voltage

mosfet igbt

power mosfet ic
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