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El microprocesador del circuito integrado 74HC20D, se dobla 4 componentes electrónicos entrados de IC de la puerta de NAND
Se dobla la puerta de NAND entrada 4 74HC/HCT20
CARACTERÍSTICAS
• Capacidad de la salida: estándar
• I categoría delcc: SSI
DESCRIPCIÓN GENERAL
Los 74HC/HCT20 son dispositivos de alta velocidad de la Si-puerta Cmos y son perno compatible con la energía baja Schottky TTL (LSTTL). Se especifican de acuerdo con el estándar no 7A de JEDEC. Los 74HC/HCT20 proporcionan la función entrada 4 del NAND.
DATOS DE REFERENCIA RÁPIDA
TIERRA = 0 V; Ambde T = °C 25; tr = tf = 6 ns
SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | TÍPICO | UNIDAD | |
HC | HCT | ||||
tPHL/tPLH | nA del retraso de propagación, NOTA, nC, nD al nY | CL = 15 PF; VCC = 5 V | 8 | 13 | ns |
CI | capacitancia de la entrada | 3,5 | 3,5 | PF | |
PALADIODE C | capacitancia de la disipación de poder por el paquete | notas 1 y 2 | 22 | 17 | PF |
Notas
1. Elpaladiode C se utiliza para determinar la disipación de poder dinámica (PD en µW):
PdeD = de Cdelpaladio de × fidel × Vcc2 + ∑ (CL de × fodel × Vcc2) donde:
fi = frecuencia entrada en el megaciclo
fo = frecuencia hecha salir en el megaciclo
CL = capacitancia hecha salir de la carga en el PF
V voltaje delcc = de fuente en V
∑ (CL de × fodel × Vcc2) = suma de salidas
2. Para HC la condición es VI = tierra a Vcc
Para HCT la condición es VI = tierra al − 1,5 V de Vcc