Regulador linear del alto PSRR de la electrónica de TUSB3410VF marginado bajo de los chips CI 500mA
500mA, ruido actual, ultrabajo quieto bajo, regulador linear del alto marginado bajo de PSRR
CARACTERÍSTICAS
• regulador bajo del marginado 500mA con el EN
• I bajoQ: 46μA
• Versiones de salida múltiple del voltaje disponibles:
– Salidas fijas de 1.0V a 4.3V usando la programación innovadora de la fábrica EEPROM
– Salidas ajustables de 1.25V a 6.0V
• Alto PSRR: 60dB en 1kHz
• Ruido ultrabajo: 28μVRMS
• Tiempo de lanzamiento rápido: 45μs
• Establo con un Bajo-ESR, capacitancia de salida típica 2.0μF
• Carga/línea excelentes respuesta transitoria
• Exactitud total del 2% (carga/línea/temporero, VHACIA FUERA > 2.2V)
• Marginado muy bajo: 280mV en 500mA
• × 2m m SON-6 de 2m m y paquetes SON-8 del × 3m m de 3m m
DESCRIPCIÓN
La familia de TPS735xx de bajo-marginado (LDO), funcionamiento excelente de la CA de las ofertas lineares de baja potencia de los reguladores con la corriente de tierra muy baja. Se proporcionan el alto ratio de rechazo de la poder-fuente (PSRR), el arranque de poco ruido, rápido, y la respuesta transitoria excelente de la línea y de la carga mientras que consume una corriente (típica) muy baja de la tierra 46μA. El TPS735xx es estable con los condensadores de cerámica y utiliza un proceso avanzado de la fabricación de BiCMOS para rendir un voltaje típico del marginado de 250mV en la salida 500mA. El TPS735xx utiliza una referencia y un bucle de retroalimentación del voltaje de precisión para alcanzar la exactitud total del 2% (VOUT > 2.2V) sobre toda la carga, línea, proceso, y variaciones de la temperatura. Se especifica completamente de TJ = – 40°C a +125°C y se ofrece en HIJO discreto, de 2m m x de 2m m y los paquetes del HIJO del × 3m m de 3m m que son ideales para los microteléfonos inalámbricos, las impresoras, y las tarjetas de la red inalámbrica (WLAN).
USOS
• WiFi, WiMax
• Impresoras
• Teléfonos móviles, smartphones
• Organizadores del PDA, PDA
PAQUETE de DRB HIJO de 3m m x de 3m m (VISIÓN SUPERIOR)
PAQUETE de DRV HIJO de 2m m x de 2m m (VISIÓN SUPERIOR)
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
Sobre la gama de temperaturas de funcionamiento (a menos que se indicare en forma diferente) .(1)
| PARÁMETRO |
TPS735xx |
UNIDAD |
| VEN gama |
– 0,3 a +7,0 |
V |
| V gama delEN |
– 0,3 a VEN +0,3 |
V |
| VHACIA FUERA extiéndase |
– 0,3 a VEN +0,3 |
V |
| V gama delFB |
– 0,3 a VFB (TIPO) +0,3 |
V |
| Corriente de salida máxima |
Internamente limitado |
|
| Gama de temperaturas de empalme, TJ |
– 55 a +150 |
°C |
| Gama de temperaturas de almacenamiento, TSTG |
– 55 a +150 |
°C |
| Grado del ESD, HBM |
2 |
kilovoltio |
| Grado del ESD, CDM |
500 |
V |
(1) las tensiones sobre estos grados pueden causar daño permanente. La exposición a las condiciones máximas absolutas por períodos extendidos puede degradar confiabilidad del dispositivo. Éstos son grados de la tensión solamente, y la operación funcional del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones más allá de ésos especificada no se implica.
BLOQUE DIAGRAMA FUNCIONALES
Cuadro 1. cuadro de tensión fija 2. versiones ajustables de las versiones del voltaje
NOTA (1): Las versiones de tensión fija entre 1.0V a 1.2V tienen un circuito del bandgap 1.0V en vez de un circuito del bandgap 1.208V.
