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La placa de circuito de los diodos Zener del poder del silicio 1N5358B salta el componente electrónico

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China La placa de circuito de los diodos Zener del poder del silicio 1N5358B salta el componente electrónico wholesale
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La placa de circuito de los diodos Zener del poder del silicio 1N5358B salta el componente electrónico
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Número de modelo :SST25VF016B-50-4I-S2AF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :5 piezas
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :10000pcs/day
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntrenos en contacto con para más detalles
Disipación de poder máxima :5w
Z-voltaje nominal :8,7… 200 V
Estuche de plástico :DO-201
Peso aproximadamente :0,8 g
Tolerancia :el ±5%
Tipo :Diodos
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1N5358B Diodos Silicon-Power-Zener
Diodos Silicon-Power-Zener (tecnología no planar)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
Máxima disipación de energía Maximale Verlustleistung Voltaje nominal Z Nominale Z-Spannung
Caja de plástico Kunststoffgehäuse Peso aprox. Gewicht ca. El material plástico tiene la clasificación UL 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Embalaje estándar con cinta adhesiva en el paquete de munición Geigertet estándar de Lieferform en la Ammo-Paquete
La tolerancia estándar del voltaje de Zener es ± 5%). Otras tolerancias de voltaje y tensiones Zener mayores bajo pedido.
Die Toleranz der Zener-Spannung está en el Estándar-Ausführung ± 5%. Andere Toleranzen oder höhere
Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Disipación de energía Verlustleistung
P tot
5 W 1 )
Disipación de potencia máxima no repetitiva, t <10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t <10 ms
P ZSM
80 W
Temperatura de funcionamiento de la unión - Sperrschichttemperatur
Temperatura de almacenamiento - Lagerungstemperatur
T j
T S
-50 ... + 150 ° C
-50 ... + 175 ° C
Unión de resistencia térmica al aire ambiente
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft
R Tha
<25 K / W 1)
Unión de resistencia térmica a la terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht - Anschluss
R THL <8 K / W

Etiquetas de productos:

silicon diode 1n4001

semiconductor integrated circuit

datasheet 7 segment common anode
Carro de la investigación 0

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