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Transistor de fines generales de alto voltaje del npn del silicio construido en un diodo más húmedo, 2SD1290

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Provincia / Estado:guangdong
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China Transistor de fines generales de alto voltaje del npn del silicio construido en un diodo más húmedo, 2SD1290 wholesale
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Transistor de fines generales de alto voltaje del npn del silicio construido en un diodo más húmedo, 2SD1290
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Número de modelo :2SD1290
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :8000
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje de la Colector-Base :1500v
voltaje de la Emisor-base :5V
Disipación de poder del colector :50W
Temperatura de empalme :130℃
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Transistor de fines generales de alto voltaje 2SD1290 del npn del silicio construido en un diodo más húmedo

 

DESCRIPCIÓN

Transistor de fines generales de alto voltaje del npn del silicio construido en un diodo más húmedo, 2SD1290

·Con el paquete de TO-3PN

·Diodo incorporado del apagador

·Alto voltaje, alta confiabilidad

·Amplia área de la operación segura

 

USOS

·Para la desviación horizontal del color TV

  usos de la salida

 

FIJACIÓN
      PIN       DESCRIPCIÓN
       1     Base
       2

    Colector; conectado con el montaje de la base
       3     Emisor

 

 

 

Grados máximos absolutos (Ta=25℃)
 SÍMBOLO        PARÁMETRO            CONDICIONES    VALOR    UNIDAD
   VCBO   voltaje de la Colector-base    Abra el emisor    1500      V
   VEBO   voltaje de la Emisor-base    Abra el colector      5      V
    IC   Corriente de colector (DC)        3      A
    ICM   Corriente de colector (pulso)       10      A
    PC   Disipación de poder del colector    TC=25℃      50      W
    Tj   Temperatura de empalme       130      ℃
    Stgde T   Temperatura de almacenamiento     -55~130      ℃

 

 

CARACTERÍSTICAS Tj=25℃ salvo especificación de lo contrario
 SÍMBOLO          PARÁMETRO         CONDICIONES   MÍNIMO.   TIPO.   MÁXIMO.   UNIDAD
 V(BR)EBO  voltaje de avería de la Emisor-base  ES DECIR =500mA; IC=0     5         V
 VCEsat  voltaje de saturación del Colector-emisor  IC=2A; IB=0.75A         5,0     V
 VBEsat  Voltaje de saturación del emisor de base  IC=2A; IB=0.75A          1,5     V
 ICBO  Corriente de atajo de colector

 VCB=750V; ES DECIR =0

 VCB=1500V; ES DECIR =0

    

     50

      1

   μA

   mA
 FEde h  Aumento actual de DC  IC=2A; VCE=10V      3         8  
 ts  Tiempo de almacenamiento IC=2A ILeak=0.75A, LB=5μH      3         7     μs
 tf  Tiempo de caída           1     μs
 VF  Voltaje delantero del diodo  IF=-4A, IB=0          2,2      V

 

 

ESQUEMA DEL PAQUETE

Transistor de fines generales de alto voltaje del npn del silicio construido en un diodo más húmedo, 2SD1290

 

Etiquetas de productos:

silicon rectifier diode

sacrificial anode in condenser

realm electric rtv silicone
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