IRLR2905TRPBF TO-252 Energía Mosfet Transistor Circuito Integrado Chip IC Electronics

IRLR2905TRPBF

± 15kV ESD Protegido, + 3V a + 5.5V, 1Microamp, 250kbps, RS-232 Transmisores / Receptores

Accionamiento de puerta de nivel lógico

Ultra Baja Resistencia

Montaje superficial (IRLR2905)

Plomo recto (IRLU2905)

Tecnología avanzada de procesos

Conmutación rápida Avalancha totalmente clasificada

Sin plomo

Descripción

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo que los MOSFET de la energía de HEXFET son bien conocidos para, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para el uso en una gran variedad de aplicaciones. El D-PAK se diseña para el montaje superficial usando técnicas de la soldadura de la fase de vapor, del infrarrojo, o de la onda. La versión de cable recto (serie IRFU) es para aplicaciones de montaje en orificios pasantes. Los niveles de disipación de energía de hasta 1,5 vatios son posibles en aplicaciones típicas de montaje en superficie.

Absolute Maxim Calificación

TC = 25 ° C Corriente de drenaje continua, VGS @ 10V 42 ID @ TC = 100 ° C

Corriente de drenaje continua, VGS @ 10V 30 A

IDM Corriente de drenaje pulsada 160 PD @TC = 25 ° C

Disipación de potencia 110 W Factor de derating lineal 0.71 W / ° C

VGS Tensión de puerta a fuente ± 16 V

Energía de avalancha de pulso simple EAS 210 mJ

IAR Corriente de avalancha 25 A EAR Repetitiva

Energía de la avalancha 11 mJ dv / dt Recuperación del diodo máximo dv / dt 5.0 V / ns

TJ y -55 a + 175

TSTG Rango de temperatura de almacenamiento

Temperatura de soldadura, durante 10 segundos 300 (1,6 mm de la caja) ° C

Una parte de la lista de acciones