Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, transistores de poder complementarios de Darlington
MJD112 (NPN)
MJD117 (PNP)
Transistores de poder complementarios de Darlington
DPAK para los usos superficiales del soporte
TRANSISTORES DE PODER DEL SILICIO
2 AMPERIOS
100 VOLTIOS
20 VATIOS
Diseñado para el poder y la transferencia de fines generales tal como etapas de la salida o de conductor en usos tales como recortes reguladores, convertidores, y amplificadores de potencia.
Características
• Los paquetes de Pb−Free están disponibles
• Ventaja formada para los usos superficiales del soporte en las fundas plásticas (ningún sufijo)
• Versión recta de la ventaja en las fundas plásticas (sufijo “−1”)
• Lleve la versión formada en la cinta y el carrete (“T4” y el sufijo de “de 16 milímetros RL”)
• Eléctricamente similar a la serie popular TIP31 y TIP32
GRADOS MÁXIMOS
| Clasificación |
Símbolo |
Máximo |
Unidad |
| Voltaje de Collector−Emitter |
VCEO |
100 |
VDC |
| Voltaje de Collector−Base |
VCB |
100 |
VDC |
| Voltaje de Emitter−Base |
VEB |
5 |
VDC |
|
− de la corriente de colector continuo
Pico
|
IC |
2
4
|
ADC |
| Corriente baja |
IB |
50 |
mAdc |
|
Disipación de poder total @ TC = 25°C
Reduzca la capacidad normal sobre 25°C
|
PD |
20
0,16
|
W
W/°C
|
|
Poder total Dissipation* @ TA = 25°C
Reduzca la capacidad normal sobre 25°C
|
PD |
1,75
0,014
|
W
W/°C
|
| Funcionamiento y gama de temperaturas de empalme del almacenamiento |
TJ, stgde T |
−65 a +150 |
°C |
Los grados máximos son esos valores más allá de los cuales el daño del dispositivo puede ocurrir. Los grados máximos aplicados al dispositivo son valores límites de la tensión individual (condiciones de funcionamiento no normales) y son inválidos simultáneamente. Si se exceden estos límites, la operación funcional del dispositivo no se implica, el daño puede ocurrir y la confiabilidad puede ser afectada.
DIAGRAMAS DE LA MARCA
DIMENSIONES DEL PAQUETE
DPAK
CASO 369C
PROBLEMA O
DPAK−3
CASO 369D−01
PROBLEMA B
