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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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Transistor del Mosfet del poder MMBF170, transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N

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Número de modelo :MMBF170

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :10pcs

Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal

Capacidad de la fuente :8600pcs

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

voltaje de la Dren-fuente :60 V

Voltaje de la Dren-puerta (RGS < 1MW) :60 V

Voltaje de la Puerta-Fuente :± 20 V

Corriente del dren - continua :500 mA

Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento :°C -55 a 150

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BS170/MMBF170

Transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N

Descripción general

Estos transistores de efecto de campo del modo del aumento del canal N se producen usando Fairchild propietaria, alta densidad de célula, tecnología de DMOS. Estos productos se han diseñado para minimizar resistencia del en-estado mientras que proporcione el funcionamiento rugoso, confiable, y rápido de la transferencia. Pueden ser utilizados en la mayoría de los usos que requieren hasta 500mA DC. Estos productos se adaptan particularmente para la baja tensión, los usos de poca intensidad tales como pequeño control de motor servo, los conductores de la puerta del MOSFET del poder, y otros usos de la transferencia.

Características

Diseño de alta densidad de la célula para R bajo_{DS(ENCENDIDO)}.
Interruptor controlado de la señal del voltaje pequeño.
Rugoso y confiable.
Alta capacidad de la corriente de saturación.

Grados máximos absolutos T_A = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo	Parámetro	BS170	MMBF170	Unidad
V_DSS	Voltaje de la Dren-fuente	60		V
V_DGR	Voltaje de la Dren-puerta (R_GS < 1MW="">	60		V
V_GSS	Voltaje de la Puerta-fuente	± 20		V
I_D	Corriente del dren - continua - Pulsado	500	500	mA
I_D	Corriente del dren - continua - Pulsado	1200	800	mA
P_D	Disipación de poder máxima Reduzca la capacidad normal sobre 25°C	830	300	mW
P_D		6,6	2,4	mW/°C
T_J, T_STG	Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento	-55 a 150		°C
T_L	Temperatura máxima para los propósitos que sueldan, 1/16 de la ventaja” del caso por 10 segundos	300		°C
CARACTERÍSTICAS TERMALES
R_delθJA	Resistacne termal, Empalme-a-ambiente	150	417	°C/W

Circuito de la prueba de la transferencia. Formas de onda de la transferencia.

Etiquetas de productos:

Transistor del Mosfet del poder MMBF170, transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N

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Transistor del Mosfet del poder MMBF170, transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N

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