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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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Componente de IC de los circuitos integrados de los chips CI de la electrónica de MC14070BDR2G

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Número de modelo :MC14070BDR2G

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :500pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal

Capacidad de la fuente :22000pcs

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :Carrete

Rango de temperatura :-65°C a +125°C

término del pago :T / T, Paypal, Western Union

tensión :-0,5 a +18,0

Actual :+-10A

Paquete :SOP-14

paquete de la fábrica :Carrete

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Componente de IC de los circuitos integrados de los chips CI de la electrónica de MC14070BDR2G

Patio del Cmos SSI exclusivo “O” y “NI” puertas

La exclusiva del patio de MC14070B O la puerta y la exclusiva NI la puerta del patio de MC14077B se construyen con MOS P−channel y los dispositivos del modo del aumento de N−channel en una sola estructura monolítica. Estas puertas de lógica complementarias del MOS encuentran el uso primario donde se desea la disipación de energía baja y/o la alta inmunidad de ruido.

Características

• Gama del voltaje de fuente = 3,0 VDC a 18 VDC

• Todas las salidas protegidas

• Capaz de conducir dos

Cargas o una de Low−Power TTL

Carga de Low−Power Schottky TTL sobre la gama de temperaturas clasificada

• Protección del diodo doble en todas las entradas

• Reemplazo del − de MC14070B para los tipos de CD4030B y de CD4070B

• Reemplazo del − de MC14077B para el tipo de CD4077B

• Los paquetes de Pb−Free son Available*

GRADOS MÁXIMOS (voltajes referidos al VSS)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
Vdd	Gama del voltaje de fuente de DC	-0,5 a +18,0	V
Vin V_{hacia fuera}	Gama de la entrada o del voltaje de salida (DC o transeúnte)	-0,5 a Vdd+0.5	V
I_adentro I_{hacia fuera}	Corriente de la entrada o de salida (DC o transeúnte) por el Pin	+-10	mA
P_D	Disipación de poder, por el paquete	500	mW
T_A	Gama de temperaturas ambiente	-55 a +125	°C
_Stgde T	Gama de temperaturas de almacenamiento	-65 a +150	°C
T_L	Temperatura de la ventaja	260	°C