Microprocesador Integarted Circuts de los ICs de la electrónica del módulo de poder de FBR512ND10-W1Mosfet
PORO COMPACTO X 2 de la RETRANSMISIÓN 1 del GEMELO del PODER - 25A
Una parte de la lista común
| CASQUILLO 0603 150PF 50V CL10C151JB8NNNC |
800000 |
SAMSUNG |
AC7502D |
| CASQUILLO 0603 180PF 50V CL10B181KB8NNNC |
800000 |
SAMSUNG |
AA20SEE |
| RES 0805 5K9 el 1% RC0805FR-075K9L |
500000 |
YAGEO |
1606 |
| RES 0805 20K5 el 1% RC0805FR-0720K5 |
500000 |
YAGEO |
1606 |
| C.I LNK623PG |
10000 |
PODER |
1407 |
| C.I STM32F030K6T6 |
10000 |
ST |
1549 |
| DIODO ES1J-E3/61T |
180000 |
VISHAY |
1642/EJ |
| NPO el 5% CL10C100JB8NNNC del CASQUILLO 0603 10PF 50V |
400000 |
SAMSUNG |
CCBET1P |
| MUNICIÓN de DIODO 1N5822 |
1000000 |
MIC |
307260623445 |
| TRANSPORTE BF422 |
2000 |
TOS |
5F |
| DIODO 1.5KE7.5CA-E3/4 |
5000 |
VISHAY |
16+ |
| CONECTOR S3B-PH-SM4-TB (LF) (SN) |
3200 |
JST |
15+ |
CONEC.
BM06B-SRSS-TB (LF) (SN) |
3000 |
JST |
15+ |
| CONECTOR S4B-PH-SM4-TB (LF) (SN) |
9200 |
JST |
2015,11 |
| C.I A2982SLWTR-T |
3100 |
ALLEGRO |
1642 |
| OPTOACOPLADOR CNY74-4H |
1000 |
VISHAY |
V413H68 |
| DIODO S1G-E3/61T |
18000 |
VISHAY |
1632/SG |
| CI ADS7866IDBVR |
2500 |
TI |
A66Y |
| CI MSP430F417IPMR |
2500 |
TI |
69A2P1W |
| C.I MC14584BDR2G |
3000 |
EN |
PAC928 |
| C.I PIC12F508-I/SN |
1000 |
MICROCHIP |
1624KC6 |
| C.I LM1117IMPX-3.3/NOPB |
2000 |
TI |
4ARD/N05B |
Características
Las retransmisiones independientes del ● dos montaron en un solo paquete
Tamaño miniatura del ● (los 54% del volumen de las retransmisiones FBR160)
Capacidad de contacto de gran intensidad del ● (corriente que lleva: 35 minutos A/10, hora 25 A/1)
Alta resistencia del ● a la vibración y al choque
El ● mejoró resistencia térmica y prolongó el rango de operación
El ● dos entra en contacto con las opciones del hueco (FBR510: 0,3 milímetros, FBR520: 0,6 milímetros)
Tipos del ● dos de materiales del contacto
