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Mosfet BIPOLAR AISLADO IRG4BC20KDPBF de la energía baja del TRANSISTOR de la PUERTA

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
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China Mosfet BIPOLAR AISLADO IRG4BC20KDPBF de la energía baja del TRANSISTOR de la PUERTA wholesale
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Mosfet BIPOLAR AISLADO IRG4BC20KDPBF de la energía baja del TRANSISTOR de la PUERTA
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Número de modelo :IRG4BC20KDPBF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :290pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje del Colector-a-emisor :600 V
Corriente de colector pulsado :92 A
Corriente afianzada con abrazadera de la carga inductiva :92 A
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IRG4BC20KDPBF

TRANSISTOR BIPOLAR DE LA PUERTA AISLADA mosfet de la energía baja

Caracteristicas

Etiquetas de productos:

insulated gate bipolar transistor igbt

insulated gate bipolar transistor

mosfet igbt
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