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El diodo de transferencia de alta velocidad Mmbd4148, el diodo Zener superficial del soporte ayuna transferencia

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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El diodo de transferencia de alta velocidad Mmbd4148, el diodo Zener superficial del soporte ayuna transferencia

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Número de modelo :MMBD4148
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :9200pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje reverso :75 V
Voltaje reverso máximo :100 v
Capacitancia de empalme típica :4,0 PF
El revés máximo se recupera :4,0 ns
Resistencia termal máxima :357 ℃/W
Gama de temperaturas de almacenamiento :℃ -55 A +125
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El diodo de transferencia de alta velocidad Mmbd4148, el diodo Zener superficial del soporte ayuna transferencia

 

El VOLTAJE 75 voltios ACCIONA EL PAQUETE SOT-23 de 350 mWatts

 

CARACTERÍSTICAS El diodo de transferencia de alta velocidad Mmbd4148, el diodo Zener superficial del soporte ayuna transferencia

• Velocidad de transferencia rápida.

• Paquete superficial del soporte adecuado idealmente para la inserción automática

• Eléctricamente idéntico a JEDEC estándar

• Alta conductancia

 

DATOS MECÁNICOS

Caso: SOT-23, plástico

Terminales: Solderable por MIL-STD-202, método 208

Aproximadamente peso: 0,008 gramos

Marcado: A2, A3

 

GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Grados en la temperatura ambiente 25℃ salvo especificación de lo contrario.

Monofásico, media onda, 60 cargas de los herzios, resistentes o inductivas.

Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de la corriente por el 20%.

PARÁMETRO SÍMBOLO MMBD4148 MMBD4448 UNIDADES
Voltaje reverso VR 75 75 V
Voltaje reverso máximo VRM 100 100 V
Rectificación actual (medio), de media-onda rectificada con la carga resistente y herzios de f >=50 IO 150 150 mA
La sobretensión delantera máxima, 8.3ms escoge la media onda sinusoidal sobrepuesta en la carga clasificada (el método de JEDEC) IFSM 2,0 4,0 A
La disipación de poder reduce la capacidad normal sobre 25℃ BEBÉDE P 350 350 mW

Voltaje delantero máximo @ IF= A los 5m

                                           @ IF= A

VF

-

1,0

0,72

1,0

V
Corriente reversa máxima de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TJ= 25℃ IR 2,5 2,5 µA
Capacitancia de empalme típica (Notes1) CJ 4,0 4,0 PF 
Recuperación reversa máxima (Notes2) TRR 4,0 4,0 ns
Resistencia termal máxima RdelθJA 357 ℃/W
Gama de temperaturas de almacenamiento TJ -55 A +125

NOTA:

1. CJ en VR=0, f=1MHZ

2.From IF=10mA a IR=1mA, VR=6Volts, RL=100Ω

 

CLASIFICACIÓN y CURVAS CARACTERÍSTICAS

El diodo de transferencia de alta velocidad Mmbd4148, el diodo Zener superficial del soporte ayuna transferencia

 

DIBUJO DE ESQUEMA

SOT-23

El diodo de transferencia de alta velocidad Mmbd4148, el diodo Zener superficial del soporte ayuna transferencia

 

 

 

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