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Microcontroladores del flash del microprocesador USB del circuito integrado del diodo de rectificador de NGD8201NG

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Microcontroladores del flash del microprocesador USB del circuito integrado del diodo de rectificador de NGD8201NG

Preguntar último precio
Número de modelo :NGD8201NG
Lugar del origen :Taiwan
Cantidad de orden mínima :2500pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :250000PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :2500/REEL
Rango de temperatura :-55°C a +175°C
término del pago :T / T, Paypal, Western Union
tensión :40V
Actual :20A
Paquete :DPAK
paquete de la fábrica :2500pcs/reel
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NGD8201NG Rectificador Diodo Circuito integrado Chip USB Flash Microcontrollers

NGD8201NG

Ignición IGBT 20 A, 400 V, N-Canal DPAK

Este transistor bipolar de la puerta aislada del nivel de la lógica (IGBT) ofrece circuitos monolíticos que integran ESD y la protección apretada de la sobretensión para el uso en aplicaciones inductivas de los conductores de la bobina. Los usos primarios incluyen encendido, inyección de combustible directa, o donde sea necesario un alto voltaje y una conmutación de alta corriente.

Caracteristicas

• Ideal para aplicaciones de bobina en el enchufe y de controlador en bobina

• Paquete DPAK ofrece una huella más pequeña para aumentar el espacio en la tarjeta

• Protección ESD de puerta-emisor

• Límites de la abrazadera del voltaje del colector de compuerta con compensación de temperatura Estrés aplicado a la carga

• Protección integrada de diodos ESD

• Tensión de umbral bajo para cargas de alimentación de interfaz a dispositivos lógicos o de microprocesador

• Baja Tensión de Saturación

• Alta Capacidad de Corriente Pulsada

• Resistencia de puerta opcional (RG) y resistencia de puerta-emisor (RGE)

Aplicaciones

• Sistemas de encendido

CALIFICACIONES MÁXIMAS (TJ = 25 ° C a menos que se indique lo contrario)

Clasificación Símbolo Valor Unidad Colector-Emisor Voltaje VCES 440 V

Tensión del colector-puerta VCER 440 V

Voltaje puerta-emisor VGE 15 V

Colector Corriente-Continuo @ TC = 25 ° C - IC pulsado 20 50

ADC AAC Corriente de puerta continua IG 1.0 mA

Corriente de puerta transitorio (t ≤ 2 ms, f ≤ 100 Hz) IG 20 mA

ESD (modelo de dispositivo cargado) ESD 2.0 kV

ESD (modelo de cuerpo humano) R = 1500,

C = 100 pF ESD 8,0 kV ESD (modelo de máquina) R = 0, C = 200 pF

ESD 500 V Disipación de energía total @ TC = 25 ° C

Derate por encima de 25 ° C PD 125 0,83 WW / ° C

Temperatura de funcionamiento y almacenamiento TJ, Tstg -55 a +175 ° C

Una parte de la lista de acciones

INDUTOR 2.2UH NLFC322522T-2R2M-PF TDK Y6438385HU SMD3225
INDUTOR 10UH NLFC322522T-100K-PF TDK Y643780LHU SMD3225
CI LTC3406ES5-1.8TRPBF LINEAL LTC4 SOT23-5
CI LTC3406ES5-1.5TRPBF LINEAL LTD6 SOT23-5
CI SN74HC273DWR TI 87D71RK / 85FKF2K SOP-20
RES 0R 5%
RC0805JR-070RL
YAGEO 1645 SMD0805
RES 49R9 1%
RC0805FR-0749R9L
YAGEO 1639 SMD0805
RES 6K8 1%
RC0805FR-076K8L
YAGEO 1633 SMD0805
RES 0R 5%
RC0603JR-070RL
YAGEO 1645 SMD0603
CAP 0805 10UF 16V X5R CL21A106KOQNNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD0805
DIODO B330A-13-F DIODOS 1522 / B330A SMA
CI MM74C922N FAC BH56AB DIP-18
DIODO BYG23M-E3 / TR Vishay 1632 SMA
CI CD4052BM96 TI 69P1HQA SOP-16
RES 1210 220R 5% RC1210JR-07220RL YAGEO 1633 SMD1210
RES 1210 330R 5% RC1210JR-07330RL YAGEO 1641 SMD1210
CAP 0805 100NF 16V X7R 0805YC104KAT2A AVX 1622 SMD0805
RES 0805 1K5 1%
RC0805FR-071K5L
YAGEO 1641 SMD0805
RES 0805 3K3 1%
RC0805FR-073K3L
YAGEO 1641 SMD0805
CI SN74LS373N TI 1606 + 5 DIP-20
OPTOACOPLADOR 4N25M FSC 629Q DIP-6
RES 0805 4K7 5%
RC0805JR-074K7L
YAGEO 1642 SMD0805
RES 0805 4K99 1%
RC0805FR-074K99L
YAGEO 1643 SMD0805
RES 0805 75R 1%
RC0805FR-0775RL
YAGEO 1643 SMD0805
CAP 0805 220PF 50V NPO 08055A221JAT2A AVX 1633 SMD0805
CI SSD1961G40 SOLOMON L045AF BGA40
CI LM336D-2.5 TI 336-25 / 68MA6EG SOP-8
CI TPS61041DBVR TI PHPI SOT23-5
DIODO 1N4756A SEMTECH SL0C2P0817Z185G DO-41
CONVERTIDOR CI
MCP3201-CI / P
PASTILLA 1621SOD DIP-8
Carro de la investigación 0