Los dispositivos electrónicos y los circuitos integrados de los componentes de la electrónica M74HCT14B1 EMBRUJAN EL INVERSOR de SCHMITT
M54HCT14
M74HCT14
INVERSOR DE SCHMITT DEL HEX.
• DE ALTA VELOCIDAD 
tpaladio = 16 ns (TIPO.) EN Vcc =5V
• DISIPACIÓN DE ENERGÍA BAJA
Icc = 1 µA (MÁXIMO) EN TA = °C 25
• ALTA INMUNIDAD DE RUIDO
VH = 0,7 V (TIPO.) EN VCC =5V
• CARGAS DE LA CAPACIDAD DE IMPULSIÓN DE LA SALIDA 10 LSTTL
• IMPEDANCIA DE SALIDA SIMÉTRICA
︱ Del ︱ IOH = IOL = 4 mA (de MÍNIMO)
• RETRASOS DE PROPAGACIÓN EQUILIBRADOS
tPLH = tPHL
• PIN Y FUNCIÓN COMPATIBLES CON 54/74LS14
DESCRIPCIÓN
El M54/74HCT14 es un INVERSOR de alta velocidad de SCHMITT del HEX. del Cmos fabricado en la puerta de silicio C2 MOS Technology. Tiene el mismo funcionamiento de alta velocidad de LSTTL combinado con el bajo consumo de energía verdadero del Cmos. El tipo de conexión y la función Son lo mismo que los del HCT04 pero todas las entradas tienen 0,7 niveles de la histéresis de V. Esto así como su función del disparador del schmitt permite que sea utilizada en la línea receptores con las señales de entrada lentas de la subida/caída. Este circuito integrado tiene características de entrada y de salida que sean totalmente compatibles con las familias de 54/74 lógica de LSTTL. Los dispositivos de M54/74HCT se diseñan para interconectar directamente sistemasdel MOS de HSC2 con los componentes de TTL y del NMOS. Son también enchufan los reemplazos para los dispositivos de LSTTL que dan una reducción del consumo de energía. Todas las entradas se equipan de favorable
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
| Símbolo |
Parámetro |
Valor |
Unidad |
| VCC |
Voltaje de fuente |
-0,5 a +7 |
V |
| VI |
Voltaje de entrada CC |
-0,5 a Vcc + 0,5 |
V |
| VO |
Voltaje de salida de DC |
-0,5 a Vcc + 0,5 |
V |
| IIK |
Corriente de diodo de la entrada CC |
± 20 |
mA |
| IAUTORIZACIÓN |
Corriente de diodo de la salida de DC |
± 20 |
mA |
| IO |
Corriente del fregadero de la fuente de la salida de DC por el Pin de la salida |
± 25 |
mA |
| Icc otierrade I |
DC Vcc o corriente de la tierra |
± 50 |
mA |
| PD |
Disipación de poder |
500 (*) |
mW |
| Stgde T |
Temperatura de almacenamiento |
-65 a +150 |
℃ |
| TL |
Temperatura de la ventaja (sec 10) |
300 |
℃ |
MaximumRatings absoluto es esos valores más allá del whichdamage al dispositivo puede ocurrir. La operación funcional debajo de éstos condiciona isnotimplied.
(*) 500 mW: el ℃ del ≅ 65 reduce la capacidad normal a 300 mW por 10mW/℃: ℃ 65 al ℃ 85
CIRCUITO EQUIVALENTE DE ENTRADA Y DE LA SALIDA
CONEXIONES de PIN (visión superior)
LÓGICA DIAGRAM/WAVEFORM
CIRCUITO DE LA PRUEBA DE CARACTERÍSTICAS DE LA TRANSFERENCIA
