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TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL eléctrico del transistor NPN del Mosfet del poder del mosfet ic del poder del foso HJ44H11

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL eléctrico del transistor NPN del Mosfet del poder del mosfet ic del poder del foso HJ44H11

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Número de modelo :HJ44H11
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :8600pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje del emisor del colector :80 v
voltaje de la Emisor-base :5 V
Corriente de colector :8 A
Corriente baja :5 A
Temperatura de empalme :℃ +150
Temperatura de almacenamiento :-55~+150 ℃
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TRANSISTOR DEL SILICIO DE HJ44H11 NPN

TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DE NPN

 

DESCRIPCIÓN del „

El UTC HJ44H11 se diseña para los usos tales como: serie, desviación y recortes reguladores; etapas de la salida y de conductor de los amplificadores que actúan en las frecuencias desde DC a mayor que 1MHz; inversores/convertidores bajos y de alta frecuencia; y muchos otros.

 

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25℃)

PARÁMETRO SÍMBOLO GRADOS UNIDAD
Voltaje del emisor del colector VCEO 80 V
Voltaje del Colector-emisor VCES 80 V
Voltaje de la Emisor-base VEBO 5 V
Corriente de colector IC 8 A
Corriente baja IB 5 A
Disipación de poder (TC=25℃) SOT-223 PD 5 W
TO-220 65 W
TO-252 20 W
Temperatura de empalme TJ +150
Temperatura de almacenamiento TSTG -55~+150

Nota: Los grados máximos absolutos son esos valores más allá de los cuales el dispositivo podría ser dañado permanentemente.

          Los grados máximos absolutos son grados de la tensión solamente y la operación funcional del dispositivo no se implica.

 

TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL eléctrico del transistor NPN del Mosfet del poder del mosfet ic del poder del foso HJ44H11

 

CARACTERÍSTICAS TÍPICAS

TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL eléctrico del transistor NPN del Mosfet del poder del mosfet ic del poder del foso HJ44H11

 

 

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
NTR4502PT1G 38000 EN 16+ SOT-23
LTC1763CS8 6110 LT 15+ COMPENSACIÓN
LP2985-30DBVR 4843 TI 15+ SOT-23-5
LP2986AIMX-3.3 2463 NSC 14+ SOP-8
MC1458D 10000 ST 16+ COMPENSACIÓN
MR752 6281 EN 16+ INMERSIÓN
MMBT3906-7-F 28000 DIODOS 16+ SOT-23
PIC10F220T-I/OT 9050 MICROCHIP 16+ BORRACHÍN
PIC16F684-I/SL 5073 MICROCHIP 16+ COMPENSACIÓN
L7915CD2T 3697 ST 15+ TO263
LM2940T-9.0 3179 NSC 12+ TO-220
LM399H 3026 NSC 14+ PUEDA
MMBF5460 30000 FAIRCHILD 16+ SOT-23
OB2201CCPA 5480 ON-BRIGHT 16+ SOP-8
LMV339IPWR 4737 TI 15+ TSSOP-14
M1MA142WKT1 40000 EN 16+ BORRACHÍN
MJE350G 10000 EN 16+ TO-126
MT48LC64M8A2P-75 7338 MICRÓN 16+ TSOP
ZXM64P02XTA 1500 ZETEX 15+ MSOP-8
MT29F2G08ABAEAWP: E 6953 MICRÓN 15+ TSOP
LM339PWR 30000 TI 14+ TSSOP-14

 

 

 

 

 

 

Carro de la investigación 0