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Proveedor de oro de China IC de la electrónica programable de los chips CI de MIC4423YM SOP-8

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Proveedor de oro de China IC de la electrónica programable de los chips CI de MIC4423YM SOP-8

Preguntar último precio
Número de modelo :MIC4423YM
Lugar del origen :Malasia
Cantidad de orden mínima :100PCS
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :5000e
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :2500pcs/reel
Rango de temperatura :– 40°C a +85°C
término del pago :T / T, Paypal, Western Union
tensión :22v
Actual :25mA
Paquete :SOP-8
paquete de la fábrica :2500pcs/reel
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MIC4423YM

Conductor dual del MOSFET del Bajo-lado 3A-Peak

 

Descripción general

La familia MIC4423/4424/4425 es conductores altamente confiables del almacenador intermediario/driver/MOSFET de BiCMOS/DMOS. Son versiones actuales de alto rendimiento de los MIC4426/4427/4428, que son versiones mejoradas del MIC426/427/428. Las tres familias son perno-compatibles. Los conductores MIC4423/4424/4425 son capaces de dar servicio confiable en más ambientes eléctricos exigentes que sus precursores. No trabarán bajo ninguna condiciones dentro de sus grados del poder y del voltaje. Pueden sobrevivir hasta 5V del ruido que clava, de cualquier polaridad, en el perno de tierra. Pueden aceptar, sin daño o trastorno de la lógica, hasta mitad de un amperio de la corriente reversa (cualquier polaridad) forzado nuevamente dentro de sus salidas. Los conductores de la serie MIC4423/4424/4425 son más fáciles de utilizar, un en funcionamiento más flexible, y perdonando que otro Cmos o conductores bipolares actualmente disponibles. Su construcción de BiCMOS/DMOS disipa poder mínimo y proporciona oscilaciones del voltaje del carril-torail. Previsto sobre todo para los MOSFETs del poder de conducción, los conductores MIC4423/4424/4425 son convenientes para conducir otras cargas (capacitivo, resistente, o inductivo) que requieran corrientes máximas de baja impedancia, altas, y tiempos rápidos de la transferencia. Las líneas pesadamente cargadas del reloj, los cables coaxiales, o los transductores piezoeléctricos son algunos ejemplos. La única limitación sabida en el cargamento es que el poder del total disipado en el conductor se debe guardar dentro de los límites máximos de la disipación de poder del paquete

 

Características

• Construcción confiable, de baja potencia de bipolar/CMOS/DMOS

• Cierre-para arriba protegido a la corriente reversa de >500mA

• Oscilación de los withstands de la entrada de la lógica – a 5V

• Alta corriente de salida 3A-peak

• 4.5V ancho al rango de operación 18V

• Conduce la capacitancia 1800pF en 25ns

• Cortocircuito <40ns typical="" delay="" time="">

• Tiempos de retraso constantes con en el cambio del voltaje de fuente

• Subida y tiempos de caída hechos juego

• Independiente de la entrada de la lógica de TTL del voltaje de fuente

• Capacitancia baja de la entrada del equivalente 6pF

• La fuente baja 3.5mA actual con logic-1 entró 350µA con la entrada logic-0

• Impedancia de salida típica baja 3.5Ω

• El voltaje de salida balancea dentro de 25mV de la tierra o CONTRA.

• ‘426/7/8-, ‘1426/7/8-, ‘pinout 4426/7/8-compatible

• Invirtiendo, noninverting, y configuraciones diferenciadas

 

Grados máximos absolutos (nota 1)

Voltaje de fuente ........................................................... +22V

Voltaje de entrada .................................. CONTRA + 0.3V a la tierra – 5V

Temperatura de empalme ................................................ 150°C

Gama de temperaturas ...................... – 65°C de almacenamiento a 150°C

Lleve la temperatura (10 sec.) ...................................... 300°C

El ESD Susceptability, observa 3 ..................................... 1000V

 

Grados de funcionamiento (nota 2)

Voltaje de fuente (VS) ...................................... +4.5V a +18V

Versión .................................................... 0°C de la gama de temperaturas C a +70°C

Versión ................................................ – 40°C de B a +85°C

ΘJA ............................................................. 130°C/W de la INMERSIÓN de la resistencia termal del paquete

ΘJC ............................................................... 42°C/W de la INMERSIÓN

ΘJA ancho-SOIC ................................................. 120°C/W

ΘJC ancho-SOIC ................................................... 75°C/W

ΘJA ........................................................... 120°C/W de SOIC

ΘJC ............................................................ 75°C/W de SOIC

 

Una parte de la lista común

DS18B20+ MÁXIMA 1603 TO-92
BTA41-800BRG STM 628 TO-247
IRF740 IR 508D TO-220
FT231XS-R FTDI 1605 SSOP-20
K9F1G08UOD-SCBO SAMSUNG 549 TSOP-48
B39440-X6764-N201 EPSON 2874 SIP-5
LM3578AM NSC CSRC SOP-8
MAX489CPD MÁXIMA 1618 DIP-14
AT89C2051-24PU ATMEL 1506 DIP-20
FR2J PANJIT 1628 SMB
UF5408 VISHAY 1632 DO-201
SMAJ250A LITTLEFUSE 16H128 SMA
DS1603 Dallas 9944A1/102795 DIP-7
93LC86C-I/SN MICROCHIP 1243 SOP-8
SMF3.3.TCT SEMTECH 1622/F03 SC70-5
DS1338Z-33+TR MÁXIMA 1630A3 SOP-8
GQM1885C1H150GB01D MURATA IA6903WR4 SMD0603
C0402C222K5RACTU KEMET 1603 SMD0402
GCM155R71H223KA55D MURATA IA6903WR4 SMD0402
C1608X5R1A475K080AC TDK IB16C15763SD SMD0603
C0402C473K9RACTU KEMET 1622 SMD0402
C0402C472K5RACTU KEMET 1603 SMD0402
CC0805KKX7R6BB106 YAGEO 1618 SMD0805
GRM31CR61E226KE15L MURATA IA6903WR4 SMD1206
CC0402KRX7R7BB103 YAGEO 1618 SMD0402
CC0603JRNP09BN120 YAGEO 1618 SMD0603
CC0603KRX5R8BB105 YAGEO 1618 SMD0603
RC0603FR-0715KL YAGEO 1636 SMD0603
RC0603FR-07232RL YAGEO 1619 SMD0603
RC0603FR-07240KL YAGEO 1617 SMD0603
Carro de la investigación 0