Los microchipes E28F128J3A-150 y el circuito integrado de los circuitos integrados saltan la memoria de Intel StrataFlash de 3 voltios

Memoria de Intel® StrataFlash™ de 3 voltios

28F128J3A, 28F640J3A, 28F320J3A (x8/x16)

Características de producto

Arquitectura Simétrico-bloqueada de alta densidad del ■

    — 128 bloques del borrado 128-Kbyte (128 M)

    — 64 bloques del borrado 128-Kbyte (64 M)

    — 32 bloques del borrado 128-Kbyte (32 M)

El modo de página asincrónico del interfaz del alto rendimiento del ■ lee

    — 110/25 vez del acceso de lectura del ns (32 M)

    — 120/25 vez del acceso de lectura del ns (64 M)

    — 150/25 vez del acceso de lectura del ns (128 M)

operación VCC del ■ 2,7 V-3.6 V

registro de la protección del pedazo del ■ 128

    — identificador de dispositivo único 64-bit

    — células programables del usuario 64-bit OTP

El ■ aumentó la protección absoluta de las características de protección de datos con VPEN = tierra

    — Fijación flexible del bloque

    — Borrado del bloque/cierre del programa durante transiciones del poder

Empaquetado del ■

    — paquete de 56-Lead TSOP

    — paquete fácil de 64-Ball Intel® BGA

Sistema Cruz-compatible del comando básico de Intel de la ayuda del comando del ■

    — Interfaz de destello común

    — Sistema escalable del comando

el ■ 32-Byte escribe el almacenador intermediario

    — 6 µs por tiempo programado eficaz del byte

■ el 12.8M Min. total Erase Cycles (128 Mbit)

   los 6.4M Min. total Erase Cycles (64 Mbit)

   los 3.2M Min. total Erase Cycles (32 Mbit)

    — ciclos mínimos del borrado 100K por bloque

La automatización del ■ suspende opciones

    — El borrado del bloque suspende para leer

    — El borrado del bloque suspende para programar

    — El programa suspende para leer

tecnología de memoria de Intel® StrataFlash™ del µ del ■ 0,25

Capitalizando en 0,25 tecnologías de la dos-pedazo-por-célula de la generación del µ de Intel, los productos de memoria de Intel® StrataFlash™ de la segunda generación proveen de 2X los pedazos en 1X el espacio, las nuevas características para el funcionamiento de la corriente principal. Ofrecido en 128-Mbit (16-Mbyte), las densidades 64-Mbit, y 32-Mbit, estos dispositivos traen confiable, tecnología de almacenamiento de la dos-pedazo-por-célula al segmento de mercado de destello.

Las ventajas incluyen: más densidad en menos espacio, interfaz de alta velocidad, coste-por-pedazo NI dispositivos más bajos, ayuda para el almacenamiento del código y de datos, y migración fácil a los dispositivos futuros.

Usando la misma tecnología Ni-basada de ETOX™ que los productos de la uno-pedazo-por-célula de Intel, los dispositivos de memoria de Intel StrataFlash se aprovechan sobre un mil millones unidades de experiencia de la fabricación desde 1987. Como consecuencia, los componentes de Intel StrataFlash son ideales para el código y las aplicaciones de datos donde se requiere el costo de alta densidad y bajo. Los ejemplos incluyen establecimiento de una red, telecomunicaciones, los set-top box digitales, la grabación de audio, y la imagen digital.

Aplicando pinouts de la familia de la memoria de FlashFile™, los componentes de memoria de Intel StrataFlash permiten migraciones fáciles del diseño de la memoria Palabra-ancha existente de FlashFile (28F160S3 y 28F320S3), y los dispositivos de la memoria de Intel StrataFlash de la primera generación (28F640J5 y 28F320J5).

Los componentes de memoria de Intel StrataFlash entregan una nueva generación de software support delantero-compatible. Usando el interfaz de destello común (CFI) y el comando escalable (SCS) determinado, los clientes pueden aprovecharse de mejoras de la densidad y optimizado escriba las capacidades de los dispositivos de memoria futuros de Intel StrataFlash.

Fabricado en Intel® tecnología de proceso de 0,25 micrones ETOX™ VI, la memoria de Intel StrataFlash proporciona los niveles más altos de calidad y de confiabilidad.

Grados máximos absolutos

NOTAS:

1. Todos los voltajes especificados están en cuanto a la tierra. El voltaje de DC mínimo es – 0,5 V en los pernos de la entrada-salida y – 0,2 V en los pernos de VCC y de VPEN. Durante transiciones, este nivel puede aterrizaje corto – 2,0 V por períodos <20 ns="">

2. Salida puesta en cortocircuito para no más que un segundo. No más que uno hecho salir puesto en cortocircuito a la vez.

Bloque diagrama de memoria de Intel® StrataFlash™ de 3 voltios

Oferta común (venta caliente)