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Triac complementarios del módulo de poder del Mosfet de los transistores de poder del silicio de BTA40-600B 40A

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Triac complementarios del módulo de poder del Mosfet de los transistores de poder del silicio de BTA40-600B 40A

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Número de modelo :BTA40-600B
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :7600pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento :- 40 a + 150°C
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme :- 40 a + 125°C
Disipación de poder media de la puerta :1 W
Corriente máxima de la puerta :8 A
Voltaje del umbral :0,85 V
Resistencia dinámica :mΩ 10
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Serie BTA40, BTA41 y BTB41
TRIAC 40A
 
Características principales

SímboloValorUnidad
IT(RMS)40A
VDRM/VRRM600 y 800V
IGT(Q1)50mA

 
DESCRIPCIÓN
Disponible en paquetes del poder más elevado, la serie de BTA/BTB40-41 es conveniente para la transferencia de fines generales de la CA. Pueden ser utilizados como función CON./DESC. en usos tales como retransmisiones estáticas, regulación de calefacción, motor de inducción que enciende los circuitos… o para la operación de control de la fase en los amortiguadores ligeros, reguladores de la velocidad del motor,…
Los gracias a su técnica del montaje del clip, proporcionan un rendimiento superior en la sobretensión que maneja capacidades.
Usando un cojín de cerámica interno, la serie de BTA proporciona voltaje etiqueta aislada (clasificada en 2500VRMS) que cumple con los estándares de la UL (referencia del fichero.: E81734).
 
Grados máximos absolutos

SímboloParámetroValorUnidad
IT(RMS)Corriente del en-estado del RMS (onda sinusoidal completa)RD91/TOP3Tc = 95°C40A
Ins SUPERIOR.Tc = 80°C
ITSMCorriente no repetidor del en-estado del pico de la oleada (ciclo completo, inicial de Tj = 25°C)F = 50 herziost = ms 20400A
F = 60 herziost = ms 16,7420
I ² tI valor del ² t para fundirse

      tp = ms 10

880Un ² s
dI/dtÍndice crítico de subida de la corriente I del en-estadoG = 2 x IGT, ≤ 100 ns del trF = 120 herziosTj = 125°C50A/µs
VDSM/VRSMVoltaje no repetidor del apagado-estado del pico de la oleadatp = ms 10Tj = 25°C

VDSM/VRSM

+ 100

V
IGMCorriente máxima de la puertatp = 20 µsTj = 125°C8A
PG(SISTEMA DE PESOS AMERICANO)Disipación de poder media de la puertaTj = 125°C1W

Tstg

Tj

Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento

Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme

- 40 a + 150

- 40 a + 125

°C

 
Triac complementarios del módulo de poder del Mosfet de los transistores de poder del silicio de BTA40-600B 40A
 
(Aislado y no aislado) datos mecánicos del paquete TOP3
Triac complementarios del módulo de poder del Mosfet de los transistores de poder del silicio de BTA40-600B 40A
 
Datos mecánicos del paquete RD91
Triac complementarios del módulo de poder del Mosfet de los transistores de poder del silicio de BTA40-600B 40A
 
 
Oferta común (venta caliente)

Número de parte.Q'tyMFGD/CPaquete
X9C104PIZ7680INTERSIL15+DIP-8
PC354NJ0000F10000AGUDO16+COMPENSACIÓN
X5043P3000INTERSIL13+DIP-8
LMC7660IM3224NSC13+SOP-8
MID400S6796FAIRCHILD12+SOP-8
MAX3378EEUD+T12200MÁXIMA16+TSSOP
NTR4101PT1G40000EN16+SOT-23
NCP1207APG10880EN13+INMERSIÓN
MOC3163SM5609FSC12+COMPENSACIÓN
PIC32MX460F512L-80I/PT900MICROCHIP14+TQFP-64
LM4871MX4783NSC15+SOP-8
L298HN2399ST14+CREMALLERA
NDS8434A10000FAIRCHILD16+SOP-8
MC34166TVG3478EN16+TO-220
MBRF20100CTG10000EN16+TO-220
LT3591EDDB#TRMPBF13514LINEAR14+DFN
LM318MX2000NSC15+SOP-8
NCP1117ST50T3G10000EN16+SOT-223
MC33204DR2G5938EN16+COMPENSACIÓN
AT24C02B-PU2200ATMEL14+DIP-8
LTC1665CGN#PBF5890LINEAR16+SSOP

 
 
 
 

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