Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Miembro del sitio
10 Años
Casa / Productos / Power Mosfet Transistor /

TRANSISTOR BIPOLAR de fines generales de los TRANSISTORES del transistor SOT-23 del Mosfet del poder del transistor del npn BC817-25 (NPN)

Contacta
Anterwell Technology Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
Contacta

TRANSISTOR BIPOLAR de fines generales de los TRANSISTORES del transistor SOT-23 del Mosfet del poder del transistor del npn BC817-25 (NPN)

Preguntar último precio
Número de modelo :BC817-25
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :8200PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje de la Colector-Base :50 V
Voltaje del Colector-Emisor :45 V
voltaje de la Emisor-base :5 V
Colector actual-continuo :0,5 A
Disipación del colector :0,3 W
Temperatura del empalme y de almacenamiento :-55 ℃ -150
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

 

TRANSISTOR BIPOLAR DE LOS TRANSISTORES SOT-23 (NPN)

 

CARACTERÍSTICAS

  • Para los usos generales del AF
  • Alta corriente de colector
  • Aumento de gran intensidad
  • Voltaje de saturación bajo del colector-emisor

DATOS MECÁNICOS

  • Caso: Plástico moldeado
  • Epóxido: Tarifa de la UL 94V-O ignífuga
  • Ventaja: Método 208C de MIL-STD-202E garantizado
  • Posición de montaje: Ningunos
  • Peso: 0,008 gramos

GRADOS MÁXIMOS (@ TA = 25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

CARACTERÍSTICAS SÍMBOLO VALOR UNIDADES
voltaje de la Colector-base VCBO 50 V
voltaje del Colector-emisor VCEO 45 V
voltaje de la Emisor-base VEBO 5 V
Colector actual-continuo IC 0,5 A
Disipación del colector PC 0,3 W
Temperatura del empalme y de almacenamiento TJ, stgde T -55 -150

 

TRANSISTOR BIPOLAR de fines generales de los TRANSISTORES del transistor SOT-23 del Mosfet del poder del transistor del npn BC817-25 (NPN)

 

CURVAS DEL GRADO Y DE CARACTERÍSTICAS (BC817-16/-25/-40)

TRANSISTOR BIPOLAR de fines generales de los TRANSISTORES del transistor SOT-23 del Mosfet del poder del transistor del npn BC817-25 (NPN)

TRANSISTOR BIPOLAR de fines generales de los TRANSISTORES del transistor SOT-23 del Mosfet del poder del transistor del npn BC817-25 (NPN)

 

 

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
BFY90 6000 PHI 03+ CAN4
LNK305PN 5632 PODER 15+ DOP-7
PK160F-80 150 SANREX 11+ MÓDULO
54102-0204 3818 MOLEX 15+ conector
MCP1703T-3302E/CB 5092 MICROCHIP 16+ SOT-23
MOC3083M 5595 FSC 16+ INMERSIÓN
LM4853MMX 4874 NSC 15+ MSOP-10
PIC18F24K22-I/SO 4608 MICROCHIP 14+ COMPENSACIÓN
CLC007AJE 2344 NS 15+ COMPENSACIÓN
MC34063ADR2G 10000 EN 16+ COMPENSACIÓN
LP2950CZ-3.0 6276 EN 14+ TO-92
PIC16F74-I/P 4993 MICROCHIP 16+ INMERSIÓN
LZ-24SE 4816 TAKAMISAW 15+ INMERSIÓN
PC918 11780 AGUDO 10+ DIP-8
LTC4425EMSE#PBF 6220 LT 14+ MSOP
LZ-12S-UC 4829 TAKAMISAW 16+ INMERSIÓN
M93C56-MN6T 30000 ST 16+ COMPENSACIÓN
LM809M3X-3.08 3870 NSC 15+ SOT-23-3
MC74VHC1G14DFT1 38000 EN 16+ BORRACHÍN
LM79L05ACMX 10000 NSC 14+ SOP-8
OPA4131PA 7640 TI 12+ INMERSIÓN

 

 

 

 

Carro de la investigación 0