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Transistor del Mosfet del poder

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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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Transistor de poder fresco del transistor MOS™ del Mosfet del poder del transistor de poder del darlington del npn SPA04N60C3

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Número de modelo :SPA04N60C3

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :10pcs

Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal

Capacidad de la fuente :8700pcs

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

Voltaje de avería de la Dren-fuente :600 V

Voltaje de avería de avalancha de la Dren-fuente :700 V

Voltaje del umbral de la puerta :3 v

Corriente cero del dren del voltaje de la puerta (Tj =25°C) :0,5 µA

corriente de la salida de la Puerta-fuente :nA 100

Resistencia de entrada de puerta :0,95 Ω

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SPP04N60C3, SPB04N60C3
Datos finales SPA04N60C3

Transistor de poder fresco de MOSô

V_jmax del_DS @ T	650	V
R_{DS(encendido)}	0,95	Ω
I_D	4,5	A

Característica
• Nueva tecnología de alto voltaje revolucionaria
• Carga ultrabaja de la puerta
• Avalancha periódica clasificada
• Dv/dt extremo clasificado
• Alta capacidad de la corriente máxima
• Transconductancia mejorada
• P-TO-220-3-31: Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto)

P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1

Grados máximos

Parámetro	Símbolo	Valor		Unidad
Parámetro	Símbolo	SPP_B	BALNEARIO	Unidad
Corriente continua del dren TC = °C 25 TC = °C 100	I_D	4,5 2,8	4,5¹⁾ 2,8¹⁾	A
Corriente pulsada del dren, t_p limitado por el_jmaxde T	I_pulsdeD	13,5	13,5	A
Energía de la avalancha, solo pulso I_D=3.4, V_DD=50V	E_COMO	130	130	mJ
Energía de la avalancha, t repetidor_AR limitado por el_jmax²⁾ I_D=4.5A, V_DD=50Vde T	E_AR	0,4	0,4	mJ
Avalancha actual, t repetidor_AR limitado por el_jmaxde T	I_AR	4,5	4,5	A
Parásitos atmosféricos del voltaje de fuente de puerta	V_GS	±20	±20	V
CA del voltaje de fuente de puerta (f >1Hz)	V_GS	±30	±30
Disipación de poder, T_C = 25°C	_Bebéde P	50	31	W
Funcionamiento y temperatura de almacenamiento	T_j, _stgde T	-55… +150		°C
Drene la cuesta del voltaje de la fuente V_DS = 480 V, I_D = 4,5 A, T_j = °C 125	dv/dt	50		V/ns

P-TO-220-3-1

P-TO-263-3-2 (D2-PAK)

P-TO-220-3-31 (FullPAK)

Oferta común (venta caliente)

Número de parte.

Q'ty

MFG

D/C

Paquete

MC14536BDWR2G	6563	EN	16+	COMPENSACIÓN
LT5400BCMS8E-4#PBF	4130	LINEAR	16+	MSOP
MC4741CD	3556	MOT	16+	COMPENSACIÓN
PIC10F322T-I/OT	9250	MICROCHIP	16+	BORRACHÍN
MC14584BDR2G	10000	EN	16+	COMPENSACIÓN
LT1014DSW#TRPBF	8146	LT	14+	SOP-16
MC145152DW2	5186	FREESCAL	15+	COMPENSACIÓN
MC78M05CDTX	10000	FAI	16+	SOT-252
MBM29F040C-90PD-SFL	14690	FUJITSU	16+	PLCC
L6563TR	3752	ST	15+	SOP14
MUR1560G	7604	EN	16+	TO-220
MUR840G	7300	EN	16+	TO-220
MMSZ4682T1G	25000	EN	16+	SOD-123
MC68HC908QY4ACDWE	3820	FREESCALE	16+	SOIC
MB8431-90LPFQ	3226	FUJI	16+	QFP
MMSZ5246BT1G	30000	EN	16+	SOD-123
LM5642MTCX	1833	NSC	14+	TSSOP-28
PIC16F1829-I/SS	5263	MICROCHIP	16+	SSOP
L4940V12	3675	ST	14+	TO-220
RA8875L3N	1200	RAIO	15+	TQFP-100
MB8421-90LPFQ-GE1	3165	FUJI	14+	QFP