El circuito integrado de los dispositivos electrónicos y de los circuitos integrados del chip CI del perno HY6264ALP-10 8 salta x8 SRAM

Serie 8Kx8bit Cmos SRAM de HY6264A

DESCRIPCIÓN

El HY6264A es un de alta velocidad, una energía baja y un 8,192x8-bits Cmos RAM estático fabricado usando la alta tecnología de proceso de la tina Cmos del gemelo del rendimiento de Hyundai. Este alto proceso juntado con técnicas de diseño innovadoras de circuito, tiempo de acceso de la confiabilidad máximo de las producciones de 70ns. El HY6264A tiene un modo de la retención de los datos que garantice datos para seguir siendo válido en el voltaje de fuente de alimentación mínimo de 2,0 voltios. Usando la tecnología del Cmos, voltio del voltaje de fuente de 2,0 a 5,5 tiene poco efecto sobre corriente de la fuente en el modo de la retención de los datos. La reducción del voltaje de fuente para minimizar el dren actual es innecesaria para la serie de HY6264A.

CARACTERÍSTICAS

· Operación completamente estática y salidas de triple estado

· Entradas y salidas compatibles de TTL

· Bajo consumo de energía

· Copia de seguridad de batería (L/LL-part)

  retención (mínima) de los datos de -2.0V

· Tipo de conexión estándar

  -28 perno 600 milipulgada PDIP

  -28 perno COMPENSACIÓN de 330 milipulgadas

GRADO MÁXIMO ABSOLUTO ⁽¹⁾

La nota 1. subraya mayor que ésas enumeradas bajo GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS pueden causar daño permanente al dispositivo. Ésta es tensión que valora solamente y la operación funcional del dispositivo debajo de éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en la operación de esta especificación no se implica. La exposición a las condiciones del grado máximo absoluto durante un largo período puede afectar a confiabilidad.

INFORMACIÓN EL ORDENAR

  BLOQUE DIAGRAMA DE LA CONEXIÓN DE PIN

INFORMACIÓN DEL PAQUETE

28pin 600mil se doblan el paquete en línea (P)

pequeño paquete del esquema de 28pin 330mil (J)

Oferta común (venta caliente)