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Transistor del Mosfet del poder

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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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China Los transistores del mosfet del poder más elevado de FQPF10N20C accionan el MOSFET del canal N del transistor 200V del Mosfet del poder del mosfet ic wholesale

Los transistores del mosfet del poder más elevado de FQPF10N20C accionan el MOSFET del canal N del transistor 200V del Mosfet del poder del mosfet ic

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Número de modelo :FQPF10N20C

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :10pcs

Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal

Capacidad de la fuente :7800pcs

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

voltaje de la Dren-fuente :200 V

Voltaje de la Puerta-Fuente :± 30 V

Escoja la energía pulsada de la avalancha :210 mJ

Corriente de la avalancha :9,5 A

Energía repetidor de la avalancha :7,2 mJ

Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento :°C -55 a +150

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FQP10N20C/FQPF10N20C
MOSFET del canal N 200V

Descripción general
Estos transistores de efecto de campo del poder del modo del aumento del canal N se producen usando Fairchild propietaria, raya planar, tecnología de DMOS.
Esta tecnología avanzada se ha adaptado especialmente para minimizar resistencia del en-estado, para proporcionar funcionamiento superior de la transferencia, y para soportar pulso de la alta energía en el modo de la avalancha y de la conmutación. Estos dispositivos están bien adaptados para la eficacia alta que cambia los convertidores de DC/DC, las fuentes de alimentación del modo del interruptor, los convertidores de DC-AC para las fuentes de alimentación ininterrumpidas y los controles de motor.

Características
• 9.5A, 200V, RDS (encendido) = 0.36Ω @VGS = 10 V
• Carga baja de la puerta (20 típicos nC)
• Crss bajo (40,5 típicos PF)
• Transferencia rápida
• avalancha 100% probada
• Capacidad mejorada de dv/dt

Grados máximos absolutos T_C = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo	Parámetro	FQP10N20C	FQPF10N20C	Unidades
V_DSS	Voltaje de la Dren-fuente	200		V
I_D	Corriente del dren - continua (TC = 25°C) - Continuo (TC = 100°C)	9,5	9,5 *	A
I_D		6,0	6,0 *	A
I_DM	Corriente del dren - pulsada (nota 1)	38	38 *	A
V_GSS	Voltaje de la Puerta-fuente	± 30		V
E_COMO	Escoja la energía pulsada de la avalancha (nota 2)	210		mJ
I_AR	Corriente de la avalancha (nota 1)	9,5		A
E_AR	Energía repetidor de la avalancha (nota 1)	7,2		mJ
dv/dt	Recuperación máxima del diodo dv/dt (nota 3)	5,5		V/ns
P_D	Disipación de poder (TC = 25°C) - Reduzca la capacidad normal sobre 25°C	72	38	W
P_D		0,57	0,3	W/°C
T_J, T_STG	Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento	-55 a +150		°C
T_L	Temperatura máxima para los propósitos que sueldan, 1/8" de la ventaja del caso por 5 segundos	300		°C

* drene limitado actual por temperatura de empalme máxima.

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TO-220

TO-220F

Almacene la oferta (la venta caliente)

Número de parte.

Q'ty

MFG

D/C

Paquete

LP3990MFX-3.3	3844	NSC	15+	SOT-23-5
LP38692MP-3.3	3843	NSC	15+	SOT-223
LP38500SD-ADJ	3843	NSC	14+	LLP-8
LNK626PG	3843	PODER	15+	DIP-7
LMV934MAX	3842	NSC	15+	SOP-14
MPXM2010GS	3830	FREESCALE	14+	COMPENSACIÓN
AD8606ARZ	3829	ANUNCIO	14+	SOP-8
LTC3374EUHF	3821	LINEAR	15+	QFN
M41T81SM6F	3820	ST	14+	COMPENSACIÓN
ADXL322JCP	3819	ANUNCIO	15+	LFCSP-16
ADUM2401ARWZ	3818	ANUNCIO	15+	SOP-16
PIC16LF876A-I/SS	3816	MICROCHIP	14+	SSOP
MAX6951CEE+	3802	MÁXIMA	15+	SSOP
ADS1232IPWR	3800	TI	15+	TSSOP-24
LM3900N	3799	NSC	14+	DIP-14
LM828M5X	3796	NSC	14+	SOT-23-5
MX25L25635FMI-10G	3782	MXIC	13+	COMPENSACIÓN
AT90CAN64-16AU	3781	ATMEL	15+	QFP64
MT8816AP	3780	ZARLINK	1148+	PLCC
MC68HC908JL3ECP	3780	FREESCALE	04+	INMERSIÓN
LT3010EMS8E-5	3780	LINEAR	12+	MSOP-8

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