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El transistor N del Mosfet del poder del mosfet de la energía baja de AP4511GD Y EL MODO del AUMENTO del P-CANAL ACCIONAN EL MOSFET

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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El transistor N del Mosfet del poder del mosfet de la energía baja de AP4511GD Y EL MODO del AUMENTO del P-CANAL ACCIONAN EL MOSFET

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Número de modelo :AP4511GD
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :7800pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Disipación de poder total :2,0 W
Factor que reduce la capacidad normal linear :0,016 W/℃
Gama de temperaturas de almacenamiento :℃ -55 a 150
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme :℃ -55 a 150
Resistencia termal máxima, Empalme-ambiente :62,5 ℃/W
Voltaje de avería de la Dren-fuente :35 V
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N Y MOSFET DEL PODER DEL MODO DEL AUMENTO DEL P-CANAL

 

Carga baja de la puerta del ▼El transistor N del Mosfet del poder del mosfet de la energía baja de AP4511GD Y EL MODO del AUMENTO del P-CANAL ACCIONAN EL MOSFET

Velocidad de transferencia rápida del ▼

Paquete del ▼ PDIP-8

 

N-CH BVDSS 35V

            RDS(ENCENDIDO) 25mΩ

            I7A

P-CH BVDSS -35V

            RDS(ENCENDIDO) 40mΩ

            I-6.1A

El transistor N del Mosfet del poder del mosfet de la energía baja de AP4511GD Y EL MODO del AUMENTO del P-CANAL ACCIONAN EL MOSFET

Descripción

Los MOSFETs avanzados del poder del APEC proveen del diseñador la mejor combinación de transferencia rápida, de diseño construido sólidamente del dispositivo, de en-resistencia ultrabaja y de rentabilidad.

 

 

Grados máximos absolutos

Símbolo Parámetro Clasificación Unidades
Canal N P-canal
VDS Voltaje de la Dren-fuente 35 -35 V
VGS Voltaje de la Puerta-fuente ±20 ±20 V
ID@TA =25℃ Corriente continua3del dren 7 -6,1 A
ID@TA =70℃ Corriente continua3del dren 5,7 -5 A
IDM Corriente pulsada1del dren 30 -30 A
PD@TA =25℃ Disipación de poder total 2,0 W
  Factor que reduce la capacidad normal linear 0,016 W/℃
TSTG Gama de temperaturas de almacenamiento -55 a 150
TJ Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme -55 a 150

 

Esquema del paquete: DIP-8

El transistor N del Mosfet del poder del mosfet de la energía baja de AP4511GD Y EL MODO del AUMENTO del P-CANAL ACCIONAN EL MOSFET

 

Información y embalaje de la marca de la parte: DIP-8

El transistor N del Mosfet del poder del mosfet de la energía baja de AP4511GD Y EL MODO del AUMENTO del P-CANAL ACCIONAN EL MOSFET

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
LM331N 4666 NSC 15+ DIP-8
AD7780BRUZ 4662 ANUNCIO 15+ TSSOP-16
LM385M3X-2.5 4656 NSC 14+ SOT-23
ADS1256IDBR 4650 TI 14+ SSOP28
LTC1658CS8#PBF 4636 LINEAR 13+ COMPENSACIÓN
AD8643ACPZ 4631 ANUNCIO 15+ LFCSP
ADS8361IDBQ 4625 TI 14+ SSOP24
PIC16F1829-I/SS 4622 MICROCHIP 15+ SSOP
AMC1200BDWVR 4622 TI 15+ SOP8
ATMEGA324PA-AU 4621 ATMEL 15+ QFP44
AD8221ARMZ 4611 ANUNCIO 14+ MSOP-8
MIC29302WUTR 4604 MICREL 13+ TO-263
LM340T-5.0 4600 NSC 14+ TO-220
ADS1240E 4600 TI 15+ SSOP24
LTC1605CSW 4582 LINEAR 10+ COMPENSACIÓN
MAX3241EUI+T 4580 MÁXIMA 14+ TSSOP
AK4384VT-E2 4580 AKM 15+ TSSOP-16
CS5534-ASZ 4575 CIRRO 15+ SSOP20
MPX5700DP 4574 FREESCALE 15+ SORBO
ADUM1402ARWZ 4572 ANUNCIO 15+ SOP16
ATMEGA88PA-MMHR 4560 ATMEL 15+ QFN32

 

 

 

Carro de la investigación 0