El VOLTAJE del transistor del Mosfet del poder de MLP1N06CLG AFIANZÓ el mosfe LIMITADOR ACTUAL del poder con abrazadera del rf de los transistores del mosfet del poder más elevado del MOSFET

Internamente afianzado con abrazadera, MOSFET del poder del nivel de la lógica del canal N de Current Limited

  Estos dispositivos de SMARTDISCRETES ofrecen la limitación actual para la protección del cortocircuito, una abrazadera integral de la puerta-a-fuente para la protección del ESD y la abrazadera del puerta-a-dren para la protección de la sobretensión. No se requiere ninguna resistencia de serie adicional de la puerta cuando la interconexión a la salida de un MCU, pero a un resistor de la desconexión de la puerta de 40 kΩ se recomienda para evitar una condición flotante de la puerta.

   Las abrazaderas internas de la puerta-a-fuente y del puerta-a-dren permiten que los dispositivos sean aplicados sin el uso de los componentes transitorios externos de la supresión. Puerta-a la abrazadera de la fuente protege el MOSFET entrado contra tensiones de voltaje electrostáticas de la puerta hasta 2,0 kilovoltios. La abrazadera del puerta-a-dren protege el MOSFET escurre las tensiones de la avalancha del dren que ocurren con las cargas inductivas. Este diseño único proporciona la fijación con abrazadera del voltaje que es esencialmente independiente de la temperatura de funcionamiento.

• La abrazadera compensada temperatura del Puerta-a-dren limita la tensión de voltaje aplicada al dispositivo y protege la carga contra la sobretensión

• Protección integrada del diodo del ESD

• La transferencia controlada minimiza la IRF

• El voltaje bajo del umbral permite cargas de interconexión del poder a los microprocesadores

GRADOS MÁXIMOS

LISTA COMÚN