Categorías de Producto

microprocesador del circuito integrado

[629]

Transistor del Mosfet del poder

[450]

componentes de la electrónica

[204]

Contacta

Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

Ver detalles de contacto

Contacta

Alto voltaje programado de los chips CI de ULN2003A, órdenes de gran intensidad del transistor de Darlington

Preguntar último precio

Número de modelo :ULN2003A

Lugar del origen :Filipinas

Cantidad de orden mínima :20

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal

Capacidad de la fuente :20000

Plazo de expedición :1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

Tensión de salida :50 V

De tensión de entrada :30 V

Corriente de colector - continua :500 mA

Corriente baja - continua :25 mA

Gama de temperaturas de almacenamiento :°C -55 a +150

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

Alto voltaje programado de los chips CI de ULN2003A, órdenes de gran intensidad del transistor de Darlington

Los siete transistores conectados Darlington de NPN en estos órdenes están bien adaptados para conducir las lámparas, las retransmisiones, o los martillos de la impresora en una variedad de industrial y de aplicaciones de consumidor. Su alto voltaje de avería y diodos internos de la supresión aseguran la libertad de los problemas asociados a las cargas inductivas. Las corrientes máximas de la avalancha a 500 mA permiten que conduzcan las lámparas incandescentes.

El ULx2003A con un resistor de entrada de 2,7 series de k está bien adaptado para los sistemas que utilizan una lógica de 5,0 V TTL o del Cmos.

GRADOS MÁXIMOS

(TA = 25°C, y grado se aplican a cualquier un dispositivo en el paquete, a menos que se indicare en forma diferente.)

Clasificación	Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje de salida	Vo	50	V
Voltaje de entrada	VI	30	V
Corriente de colector - continua	IC	500	mA
Corriente baja - continua	IB	25	mA
Gama de temperaturas ambiente de funcionamiento ULN2003A ULQ2003A	TA	-20 a +85 -40 a +85	°C
Gama de temperaturas de almacenamiento	Tstg	-55 a +150	°C
Temperatura de empalme	TJ	150	°C
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente Caso 751B, sufijo de D	RJA	100	°C/W
Resistencia termal, Empalme-a-caso Caso 751B, sufijo de D	RJC	20	°C/W
Sensibilidad de la descarga electrostática (ESD) Modelo (HBM) del cuerpo humano Modelo de máquina (MM) Modelo cargado (CDM) del dispositivo	ESD	2000 400 1500	V

CURVAS de FUNCIONAMIENTO TÍPICAS - TA = 25°C

Etiquetas de productos:

Alto voltaje programado de los chips CI de ULN2003A, órdenes de gran intensidad del transistor de Darlington

microprocesador del circuito integrado

chips CI programables

Chips de la placa de circuito

Diodo de rectificador

Transistor del Mosfet del poder

3 pines del transistor

RJ45 Ethernet Jack

Sensor de presión del IC

Módulo de potencia MOSFET

SMD núcleo de ferrita

el smd llevó el diodo

Resistencias SMD

Chips electrónicos IC

componentes de la electrónica

Alto voltaje programado de los chips CI de ULN2003A, órdenes de gran intensidad del transistor de Darlington

Alto voltaje programado de los chips CI de ULN2003A, órdenes de gran intensidad del transistor de Darlington

darlington array ic

semiconductor ics

transistor specification