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SI2301CDS - T1 - transistores P del mosfet del poder más elevado E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)

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Anterwell Technology Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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China SI2301CDS - T1 - transistores P del mosfet del poder más elevado E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S) wholesale
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SI2301CDS - T1 - transistores P del mosfet del poder más elevado E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)
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Número de modelo :SI2301CDS-T1-E3
Lugar del origen :Filipinas
Cantidad de orden mínima :20
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :20000
Plazo de expedición :1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
VDS :- 20 V
VGS :± 8 V
Identificación :-3,1 A
DM :- 10 A
ES :-3,1 A
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SI2301CDS - T1 - transistores P del mosfet del poder más elevado E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)

MOSFET del P-canal 20-V (D-S)

CARACTERÍSTICAS SI2301CDS - T1 - transistores P del mosfet del poder más elevado E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)

• opción Halógeno-libre disponible

• MOSFET del poder de TrenchFET®

 

USOS

• Interruptor de la carga

 

RESUMEN DEL PRODUCTO DEL MOSFET
VDS (V)  RDS(encendido) (Ω) ID (A) a  Qg (tipo.)
- 20 0,112 en VGS = - 4,5 V - 3,1 3,3 nC
0,142 en VGS = - 2,5 V - 2,7

 

 

°C TÍPICO de las CARACTERÍSTICAS 25, a menos que se indicare en forma diferente

SI2301CDS - T1 - transistores P del mosfet del poder más elevado E3 - MOSFET del canal 20-V (D-S)

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p-channel mosfet sot-23

to220 mosfet

sot223 mosfet
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