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LTST - el poder más elevado de C190KRKT llevó el microprocesador ultra brillante del diodo SMD AlInGap

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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LTST - el poder más elevado de C190KRKT llevó el microprocesador ultra brillante del diodo SMD AlInGap

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Número de modelo :LTST-C190KRKT
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :5200PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje de fuente (V+ - V−) :13.2V
Voltaje en los pernos de la entrada :V+ +0.5V, V− −0.5V
Información que suelda :235˚C
El soldar de la onda (sec 10.) :260˚C
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LTST - el poder más elevado de C190KRKT llevó el microprocesador ultra brillante del diodo SMD AlInGap

Características

* (0.80H milímetro) microprocesador fino estupendo LED.

* microprocesador ultra brillante LED de AlInGaP.

* paquete en cinta de 8m m en 7" carretes del diámetro.

* compatible con el equipo automático de la colocación.

* compatible con infrarrojo y proceso de la soldadura del flujo de la fase de vapor.

* paquete del EIA STD.

* I.C. compatible.

 

Limpieza

No utilice el líquido químico sin especificar para limpiar el LED que podrían dañar el paquete. Si es limpio es necesario, sumerge el LED en alcohol etílico o en el alcohol isopropilo en la temperatura normal para menos un minuto.

 

 

Grados máximos absolutos en Ta=25℃

Parámetro LTST-C171KGKT
Disipación de poder 75 mW
Corriente delantera máxima 80 mA
Corriente delantera continua 30 mA
El reducir la capacidad normal linear de 25℃ 0,4 mA/℃
Voltaje reverso 5 V
Gama de temperaturas de funcionamiento -55℃ a + 85℃
Gama de temperaturas de almacenamiento -55℃ a + 85℃

 

 

Curvas de características eléctricas/ópticas típicas

(temperatura ambiente de 25 °C a menos que se indicare en forma diferente)

LTST - el poder más elevado de C190KRKT llevó el microprocesador ultra brillante del diodo SMD AlInGap

 

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