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Caracteristicas
► Paquete integrado de medio puente
► Reduce la cantidad de piezas a la mitad
► Facilita un mejor diseño de PCB
► Parámetros clave optimizados para aplicaciones de amplificador de audio Clase D
► Bajo RDS (ON) para mejorar la eficiencia
► Bajo Qg y Qsw para mejor THD y eficiencia mejorada Qrr bajo para THD mejor y EMI inferior
► Puede la entrega hasta 300W por canal en la carga 8Ω en el amplificador de la configuración del medio-puente
► Paquete sin plomo
Descripción
Este Half-Bridge MosFET de Audio Digital está específicamente diseñado para aplicaciones de amplificador de audio Clase D. Consiste en dos interruptores MosFET de potencia conectados en configuración de medio puente. El último proceso se utiliza para lograr una baja resistencia por área de silicio. Además, la carga de la puerta, la recuperación reversa del diodo del cuerpo y la resistencia interna de la puerta se optimizan para mejorar los factores claves del rendimiento del amplificador de audio Clase D, como la eficiencia, THD y EMI. Estos se combinan para hacer de este Half-Bridge un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para aplicaciones de amplificador de audio Clase D.
Parámetro | Max | Unidades | |
VDS | Tensión de drenaje a fuente | 200 | V |
VGS | Voltaje puerta a fuente | ± 20 | V |
ID @ TC = 25ºC | Corriente continua de drenaje, VGS @ 10V | 9,1 | UN |
ID @ TC = 100ºC | Corriente continua de drenaje, VGS @ 10V | 5.1 | UN |