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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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Módulos de poder del PUENTE la MONOFÁSICO del módulo de poder del Mosfet de GBPC3512A

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Número de modelo :GBPC3512A

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :5pcs

Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal

Capacidad de la fuente :3600PCS

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

Gama de temperaturas de empalme :℃ -55 a 150

Gama de temperaturas de almacenamiento :℃ -55 a 150

Peso aproximado :16 g

Gama de VRRM :200 a 1200 V

Caída de voltaje delantera máxima :1,1 V

Corriente reversa máxima de DC :µA 5,0

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Módulos de poder del PUENTE la MONOFÁSICO

Características

Universal, 3 terminales de la manera: empuje-en, abrigo alrededor o soldadura
Alto paquete de la conductividad termal, eléctricamente - caja aislada
Los símbolos de la polaridad se moldean en el cuerpo de la caja plástica
Fijación de centro del agujero
Microprocesadores apaciguados vidrio del diodo
Ratio excelente del volumen del poder
Terminales niquelados convenientes para soldar de alta temperatura en 250 - 260°C tiempo máximo 8 - 10 segundos
Versión de la ventaja de alambre disponible
UL E 62320 aprobada

Descripción

Una gama de puentes rectificadores extremadamente compactos, encapsulados la monofásico que ofrecen la operación eficiente y confiable. Se piensan para el uso en usos de los fines generales y de la instrumentación.

Grados y características importantes

Parámetros		GBPC25	GBPC35	Unidades
I_O		25	35	A
I_O	@ T_C	60	55	℃
I _FSM	@50Hz	400	475	A
I _FSM	@ 60Hz	420	500	A
I ² t	@ 50Hz	790	1130	² s
I ² t	@ 60Hz	725	1030	² s
V gama de_RRM		200 a 1200		V
T_J		-55 a 150		℃

Tabla del esquema

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mosfet power module

power mosfet module

mosfet h bridge module

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