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Solo-fuente, FET-entrada amperio de Op. Sys. AD822 de la energía baja del Carril-a-carril
CARACTERÍSTICAS
USOS
DIAGRAMA DE CONEXIÓN
Cuadro 1. 8-Lead PDIP (sufijo de N); 8-Lead MSOP (sufijo del RM); y 8-Lead SOIC (sufijo de R)
DESCRIPCIÓN GENERAL
El AD822 es una precisión dual, FET de la energía baja entrado el amperio de Op. Sys. que puede actuar desde una sola fuente de 3,0 V a 36 V o doblarse las fuentes de ±1.5 V a ±18 V. Tiene capacidad verdadera de la solo-fuente con una gama de voltaje de entrada que extiende debajo del carril negativo, permitiendo que el AD822 acomode señales de entrada bajo tierra en el modo de la solo-fuente. El oscilación del voltaje de salida extiende a dentro 10 milivoltio de cada carril, proporcionando el rango dinámico de la salida máxima.
Cuadro 2. ruido del voltaje de entrada contra frecuencia
El voltaje compensado del máximo de 800 μV, la deriva compensada del voltaje de 2 μV/°C, las corrientes diagonales entradas debajo de PA 25, y el ruido bajo del voltaje de entrada proveen de la precisión de la C.C. impedancias de la fuente hasta un gigaohm. El ancho de banda de la ganancia unitaria de 1,8 megaciclos, – tarifa de ciénaga de 93 el DB THD en 10 kilociclos, y 3 V/μs se proporciona una corriente baja de la fuente del μA 800 por el amplificador.
DESCRIPCIÓN GENERAL
El AD822 conduce para arriba a 350 PF de la carga capacitiva directa como seguidor y proporciona una corriente de salida mínima de 15 mA. Esto permite que el amplificador maneje una amplia gama de condiciones de carga. Su combinación de funcionamiento de la CA y de la C.C., más la capacidad de impulsión excepcional de la carga, da lugar a un amplificador excepcionalmente versátil para el usuario de la solo-fuente.
El AD822 está disponible en dos grados del funcionamiento. El grado de A y el grados B son clasificados sobre la gama de temperaturas industrial de −40°C a +85°C.
El AD822 se ofrece en tres variedades de 8 paquetes de la ventaja: PDIP, MSOP, y SOIC.
Cuadro 3. amplificador Gain-of-2; CONTRA = 5, 0, VIN de = seno 2,5 V centrado en 1,25 V, RL = 100 Ω
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
Grado del parámetro |
Voltaje de fuente ±18 V Disipación de poder interna1 PDIP (n) Observe que reduce la capacidad normal de curvas SOIC (r) Observe que reduce la capacidad normal de curvas Voltaje de entrada (+VS + 0,2 V) al − (20 V + VS) Duración del cortocircuito de la salida indefinida Voltaje de entrada diferenciada ±30 V Gama de temperaturas de almacenamiento (n) – 65°C a +125°C Gama de temperaturas de almacenamiento (R, RM) – 65°C a +150°C Gama de temperaturas de funcionamiento AD822 un grado y grado B – 40°C a +85°C Gama de temperaturas de la ventaja (El soldar, sec 60) 260°C |
1 8 paquete de la ventaja PDIP: θJA = 90°C/W.
paquete de 8-lead SOIC: θJA = 160°C/W.
paquete de 8-lead MSOP: θJA = 190°C/W.
Las tensiones sobre ésas enumeradas bajo grados máximos absolutos pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es una tensión que valora solamente; la operación funcional del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en la sección operativa de esta especificación no se implica. La exposición a las condiciones del grado máximo absoluto por períodos extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo.