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Rectificadores montados ventaja de gran intensidad del transistor del Mosfet del poder MR756

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Rectificadores montados ventaja de gran intensidad del transistor del Mosfet del poder MR756

Preguntar último precio
Número de modelo :MR756
Lugar del origen :Filipinas
Cantidad de orden mínima :20
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :20000
Plazo de expedición :1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
VRRM :600 V
VRSM :720 V
VR (RMS) :420 V
IFSM :400 (para 1 ciclo) A
TJ, Tstg :°C 65 a +175
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Rectificadores montados ventaja de gran intensidad


Rectificadores montados ventaja de gran intensidad del transistor del Mosfet del poder MR756Características

• Capacidad actual comparable a los rectificadores montados chasis

• Capacidad muy alta de la oleada

• Caja aislada

• Los paquetes de Pb−Free son características mecánicas de Available*:

• Caso: Epóxido, moldeado

• Peso: 2,5 gramos (aproximadamente)

• Final: Todas las superficies del externo resistentes a la corrosión y la ventaja terminal es fácilmente Solderable

• Temperatura de la ventaja para los propósitos que sueldan: máximo 260°C por 10 segundos

• Polaridad: Banda de la polaridad del cátodo

 

MR7 = código de dispositivo

 

xx = 50, 51, 52, 54, 56 o 60

    = paquete de Pb−Free

 

(Nota: El Microdot puede estar en cualquier ubicación)

      INFORMACIÓN EL ORDENAR

See detalló la información que ordenaba y de envío en la sección de las dimensiones del paquete en la página 6 de esta hoja de datos.

 

 

Rectificadores montados ventaja de gran intensidad del transistor del Mosfet del poder MR756  Para una entrada de la onda cuadrada de la amplitud VM, el factor de eficacia se convierte:

 

Rectificadores montados ventaja de gran intensidad del transistor del Mosfet del poder MR756

 

   (El circuito de onda completa de A tiene dos veces estas eficacias)

   

   Como la frecuencia de la señal de entrada se aumenta, la época de recuperación reversa del diodo (el cuadro 10) llega a ser significativo, dando por resultado un componente cada vez mayor del voltaje ca A través de RL que sea opuesto en polaridad a la corriente delantera, de tal modo reduciendo el valor del σ del factor de eficacia, como se muestra en el cuadro 9.

 

   Debe ser acentuado que el cuadro 9 muestra eficacia de la forma de onda solamente; no proporciona una medida de pérdidas del diodo. Los datos fueron obtenidos midiendo el componente de CA del Vo con un voltímetro de CA verdadero del rms y el componente de DC con un voltímetro de DC. Los datos fueron utilizados en la ecuación 1 para obtener los puntos para el cuadro 9.

 

 

Rectificadores montados ventaja de gran intensidad del transistor del Mosfet del poder MR756

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