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Transistor del Mosfet del poder

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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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MOSFET del poder del transistor del Mosfet del poder de BSS138LT1G 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

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Número de modelo :BSS138LT1G

Lugar del origen :Original

Cantidad de orden mínima :20pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal

Capacidad de la fuente :5200PCS

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

VDSS :50 VDC

VGS :± 20 VDC

I D :200 mA

Paladio :225 mW

TL :°C 260

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Accione el MOSFET 200 mA, 50 V N−Channel SOT−23

Los usos típicos son convertidores de DC−DC, accionan a la gestión en productos portátiles y battery−powered tales como ordenadores, impresoras, tarjetas de PCMCIA, celular y los teléfonos inalámbricos.

Características

• Los paquetes de Pb−Free están disponibles

• Voltaje bajo del umbral (VGS (th):

0,5 V−1.5 V) le hacen el ideal para los usos de la baja tensión

• El paquete miniatura del soporte de la superficie SOT−23 ahorra el espacio del tablero

NOTAS:

1. DIMENSIONALIZACIÓN Y TOLERANCING POR ANSI Y14.5M, 1982.

2. DIMENSIÓN QUE CONTROLA: PULGADA.

3. EL GRUESO MÁXIMO DE LA VENTAJA INCLUYE GRUESO DEL FINAL DE LA VENTAJA. EL GRUESO MÍNIMO DE LA VENTAJA ES EL GRUESO MÍNIMO DE LA MATERIA PRIMA.

4. 318−03 Y −07 OBSOLETOS, NUEVO ESTÁNDAR 318−08.

GRADOS MÁXIMOS (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Clasificación	Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje de Drain−to−Source	V_DSS	50	VDC
− del voltaje de Gate−to−Source continuo	V_GS	± 20	VDC
Disipación de poder total @ TA = 25°C	P_D	225	mW
Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento	T_J, _stgde T	− 55 a 150	°C
− Junction−to−Ambient de la resistencia termal	R_JA	556	°C/W
Temperatura máxima de la ventaja para los propósitos que sueldan, por 10 segundos	TL	260	°C