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TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL del transistor PNP del Pin BD140 3

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Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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China TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL del transistor PNP del Pin BD140 3 wholesale
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TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL del transistor PNP del Pin BD140 3
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Número de modelo :BD140
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :5200PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
VCBO :-100 V
VCEO :VCEO -80 V
VEBO :-5 V
IC :-1,5 A
IB :-0,5 A
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USO DE FINES GENERALES.

CARACTERÍSTICAS

·De gran intensidad. (Máximo: -1.5A)

·Aumento actual de DC: hFE=40Min. @IC=-0.15A

·Complementario a BD139.

 

GRADO MÁXIMO (Ta=25℃)

CARACTERÍSTICO SÍMBOLO   CLASIFICACIÓN   UNIDAD
Voltaje de la Colector-base  VCBO  -100  V
Voltaje del Colector-emisor  VCEO   -80  V
Voltaje de la Emisor-base  VEBO   -5  V
Corriente de colector IC -1,5  A
Corriente baja IB -0,5   A

 

TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL del transistor PNP del Pin BD140 3

Etiquetas de productos:

pnp transistor datasheet

ld35dt ic chip

transistor npn pnp
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