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Transistor del Mosfet del poder

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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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Transistores complementarios de Darlington del poder del silicio del transistor del Mosfet del poder Tip122

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Número de modelo :TIP122

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :20pcs

Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal

Capacidad de la fuente :6800PCS

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

voltaje de la Emisor-base :5 V

Corriente de colector :5 A

Corriente máxima del colector :8 A

Corriente baja :0,1 A

Temperatura de almacenamiento :℃ -65 a 150

Temperatura de empalme de Max. Operating :℃ 150

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TIP120/121/122

TIP125/126/127

TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DEL PODER DARLINGTON DEL SILICIO

■ SALESTYPES PREFERIDO STMicroelectronics

DESCRIPCIÓN

Los TIP120, los TIP121 y los TIP122 son transistores de poder de la Epitaxial-base NPN del silicio en la configuración monolítica de Darlington montada en paquete del plástico de Jedec TO-220. Intented para el uso en el poder linear y los usos de la transferencia. Los tipos complementarios de PNP son TIP125, TIP126 y TIP127, respectivamente.

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

Símbolo	Parámetro		Valor			Unidad
		NPN	TIP120	TIP121	TIP122
		PNP	TIP125	TIP126	TIP127
V_CBO	Voltaje de la Colector-base (ES DECIR = 0)		60	80	100	V
V_CEO	Voltaje del Colector-emisor (I_B = 0)		60	80	100	V
V_EBO	DIAGRAMA ESQUEMÁTICO INTERNO (I_C = 0)		5			V
I_C	Corriente de colector		5			A
I_CM	Corriente máxima del colector		8			A
I_B	Corriente baja		0,1			A
_Bebéde P	Disipación total en el ℃ del ≤ 25 de Tcase ℃ del ≤ 25 de Tamb		65 2			W
_Stgde T	Temperatura de almacenamiento		-65 a 150			℃
T_j	Temperatura de empalme de Max. Operating		150			℃