Energía baja del patio de LM6132 Dual/LM6134 amplificadores operativos de la entrada-salida del Carril-a-carril de 10 megaciclos
Descripción general
El LM6132/34 proporciona nuevos niveles de velocidad contra funcionamiento del poder en los usos donde las fuentes de la baja tensión o las limitaciones del poder previamente hicieron compromiso necesario. Con la corriente de la fuente de solamente 360 µA/amp, el aumento-ancho de banda de 10 megaciclos de este dispositivo apoya los nuevos usos portátiles donde los dispositivos de mayor potencia drenan inaceptable vida de batería.
El LM6132/34 se puede conducir por los voltajes que exceden ambos carriles de la fuente de alimentación, así la eliminación trata sobre exceder la gama del voltaje del común-modo. La capacidad del oscilación de la salida del carril-a-carril proporciona el rango dinámico posible máximo en la salida. Esto es particularmente importante al actuar en voltajes de fuente bajos. El LM6132/34 puede también conducir cargas capacitivas grandes sin la oscilación.
Actuando en fuentes desde 2.7V a 24V excesivo, el LM6132/34 es excelente para una gama de usos muy amplia, de sistemas con pilas con requisitos grandes del ancho de banda a la instrumentación de alta velocidad.
Características
(Para 5V la fuente, tipo a menos que sea conocido)
- Entrada CMVR −0.25V del Carril-a-carril a 5.25V
- Oscilación 0.01V de la salida del Carril-a-carril a 4.99V
- Alto aumento-ancho de banda, 10 megaciclos en 20 kilociclos
- Tarifa de ciénaga 12 V/µs
- Corriente baja 360 µA/Amp de la fuente
- Gama ancha 2.7V de la fuente a 24V excesivo
- DB de CMRR 100
- DB del aumento 100 con RL = 10k
- DB de PSRR 82
Usos
- Instrumentación con pilas
- Amplificadores de la instrumentación
- Escáneres portátiles
- Comunicaciones inalámbricas
- Conductor de la pantalla plana
Diagramas de conexión
Grados máximos absolutos (nota 1)
Si los militares/el espacio aéreo especificaron los dispositivos se requieren, entran en contacto con por favor los distribuidores nacionales de la oficina de ventas del semiconductor para la disponibilidad y las especificaciones.
Tolerancia del ESD (nota 2) 2500V
Voltaje de entrada diferenciada 15V
Voltaje en Pin de la entrada-salida (V +) +0.3V, (− de V) −0.3V
Voltaje de fuente (V + – − de V) 35V
Corriente en Pin ±10 mA de la entrada
Corriente en Pin de la salida (nota 3) ±25 mA
Corriente en el Pin de la fuente de alimentación 50 mA
Temporeros de la ventaja. (el soldar, sec 10.) 260˚C
Gama de temperaturas −65˚C de almacenamiento a +150˚C
Temperatura de empalme (nota 4) 150˚C
Grados de funcionamiento (nota 1)
≤ del voltaje de fuente 1.8V CONTRA el ≤ 24V
Gama de temperaturas de empalme
LM6132, ≤ +85˚C del ≤ TJ de LM6134 −40˚C
Resistencia termal (θJA)
El paquete de N, perno 8 moldeó la INMERSIÓN 115˚C/W
Paquete de M, soporte superficial 193˚C/W de 8 pernos
El paquete de N, perno 14 moldeó la INMERSIÓN 81˚C/W
Paquete de M, soporte superficial 126˚C/W de 14 pernos
