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Chip CI de inversión no- de la electrónica del microprocesador del circuito integrado de los almacenadores intermediarios HEF4050BT del hex.

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Chip CI de inversión no- de la electrónica del microprocesador del circuito integrado de los almacenadores intermediarios HEF4050BT del hex.

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Número de modelo :HEF4050BT
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :300PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Característica 1 :Acepta voltajes de entrada superior al voltaje de fuente
Característica 2 :Operación completamente estática
Característica 3 :5 V, 10 V, y 15 grados paramétricos de V
Característica 4 :Características de salida simétricas estandardizadas
Característica 5 :Actúa a través del °C industrial completo de la gama de temperaturas −40 al °C +85
CARACTERÍSTICA 6 :Cumple con JEDEC JESD estándar 13-B
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Descripción general

 

El HEF4050B provee de seis almacenadores intermediarios de no-inversión capacidad de gran intensidad de la salida

conveniente para conducir TTL o altas cargas capacitivas. Desde voltajes de entrada superior a

se permite el voltaje de la fuente de los almacenadores intermediarios, los almacenadores intermediarios se puede también utilizar para convertir niveles de la lógica

de hasta 15 V a TTL estándar nivela.

 

Actúa sobre una gama recomendadade la fuente de alimentación de laDD de V de 3 V a 15 V referidos a VSS

(molido generalmente). Las entradas inusitadas se deben conectar con VDD, el VSS, u otra entrada. Es

también conveniente para el uso sobre el industrial (°C −40 a la gama de temperaturas de +85 °C).

 

 

Características

 

El ■ acepta voltajes de entrada superior al voltaje de fuente

Operación completamente estática del ■

■ 5 V, 10 V, y 15 grados paramétricos de V

Características de salida simétricas estandardizadas ■

El ■ actúa a través del °C industrial completo de la gama de temperaturas −40 al °C +85

El ■ cumple con JEDEC JESD estándar 13-B

Protección del ESD del ■:

    El ◆ HBM JESD22-A114E excede 2000 V

    El ◆ milímetro JESD22-A115-A excede 200 V

 

 

Usos

 

■ LOCMOS (oxidación local Cmos) al convertidor de DTL/TTL

ALTA corriente del fregadero del ■ para conducir dos cargas de TTL

Conversión llana Alto-a-BAJA de la lógica del ■

 

 

Diagrama funcional

 

Chip CI de inversión no- de la electrónica del microprocesador del circuito integrado de los almacenadores intermediarios HEF4050BT del hex.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Fijación de la información

 

Chip CI de inversión no- de la electrónica del microprocesador del circuito integrado de los almacenadores intermediarios HEF4050BT del hex.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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