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Transistores de poder nuevos y originales del silicio PNP, paquete 2SB861 de TO-220C

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Transistores de poder nuevos y originales del silicio PNP, paquete 2SB861 de TO-220C

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Número de modelo :2SB861
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :9000pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje de la Colector-Base :-200 V
Voltaje del Colector-Emisor :-150 V
voltaje de la Emisor-base :-6 V
Corriente de colector :-2 A
Actual-pico del colector :-5 A
Temperatura de empalme :150 ℃
Temperatura de almacenamiento :-45 ~ 150 ° C
Paquete :Paquete de TO-220C
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PNP de silicio transistores 2SB861 de potencia

DESCRIPCIÓNTransistores de poder nuevos y originales del silicio PNP, paquete 2SB861 de TO-220C

· Con el paquete TO - 220C

· Complemento al escribe 2SD1138

APLICACIONES

· Salida de deflexión vertical de baja frecuencia potencia amplificador color TV

COLOCACIÓN DE CLAVOS

PIN DESCRIPCIÓN
1 Emisor de
2

Colector, conectado a

base de montaje

3 Base

Grados máximos absolutos (Ta = 25 ° c)

SÍMBOLO PARÁMETRO CONDICIONES VALOR UNIDAD
VCBO Voltaje de Collector-base Emisor abierto -200 V
VDirector General Voltaje de Collector-emitter Base abierta -150 V
VEBO Voltaje Emitter-base Colector abierto -6 V
IC Corriente de colector -2 A
ICP Pico de corriente de colector -5 A
PC Disipación de energía del colector Ta= 25 ° c 1.8 W
TC= 25 ° c 30
Tj Temperatura de la Unión 150 ℃
Tstg Temperatura de almacenamiento -45 ~ 150 ℃

ESQUEMA DE PAQUETE

Transistores de poder nuevos y originales del silicio PNP, paquete 2SB861 de TO-220C

Fig.2 esquema de dimensiones (unindicated tolerancia: ±0. 10 mm)

Transistores de poder nuevos y originales del silicio PNP, paquete 2SB861 de TO-220C

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