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MOSFET FQP32N20C del canal N 200V

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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MOSFET FQP32N20C del canal N 200V

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Número de modelo :FQP32N20C
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :2000pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Característica 1 :28A, 200V, RDS (encendido) = 0.082Ω @VGS = 10 V
Característica 2 :Carga baja de la puerta (82,5 típicos nC)
Característica 3 :Crss bajo (185 típicos PF)
Característica 4 :Transferencia rápida
Característica 5 :avalancha 100% probada
CARACTERÍSTICA 6 :Capacidad mejorada de dv/dt
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Descripción general

 

Este efecto de campo del poder del modo del aumento del canal N

los transistores se producen usando el propietario de Fairchild,

raya planar, tecnología de DMOS.

Esta tecnología avanzada se ha adaptado especialmente a

minimice la resistencia del en-estado, proporcione la transferencia superior

funcionamiento, y pulso de la alta energía del withstand en

avalancha y modo de la conmutación. Estos dispositivos están bien

adaptado para la eficacia alta que cambia los convertidores de DC/DC,

cambie las fuentes de alimentación del modo, convertidores de DC-AC para

fuentes de alimentación y controles de motor ininterrumpidos.

 

 

Características

 

• 28A, 200V, RDS(encendido) = @V 0.082ΩGS = 10 V

• Carga baja de la puerta (82,5 típicos nC)

• Crss bajo (185 típicos PF)

• Transferencia rápida

• avalancha 100% probada

• Capacidad mejorada de dv/dt

 

 

MOSFET FQP32N20C del canal N 200V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Características típicas

 

 

MOSFET FQP32N20C del canal N 200V

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