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Transistores de poder sensibles del silicio del transistor del Mosfet del poder de la puerta BT139-800E de los triac

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China Transistores de poder sensibles del silicio del transistor del Mosfet del poder de la puerta BT139-800E de los triac wholesale
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Transistores de poder sensibles del silicio del transistor del Mosfet del poder de la puerta BT139-800E de los triac
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Número de modelo :BT139-800E
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :4000pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :24000PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltajes máximos repetidores del apagado-estado :800 V
Corriente del en-estado del RMS :16A
Corriente máxima sin repetición del en-estado :140A
Corriente máxima de la puerta :2A
Voltaje máximo de la puerta :5V
Poder máximo de la puerta :5 W
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DESCRIPCIÓN GENERAL

 

Vidrio apaciguado, puerta sensible

triac en un sobre plástico, previsto

para el uso en fines generales

transferencia y fase bidireccionales

controle los usos, donde alto

la sensibilidad se requiere en los cuatro

cuadrantes.

 

DATOS DE REFERENCIA RÁPIDA

 

SÍMBOLO   MÁXIMO. MÁXIMO. MÁXIMO. UNIDAD
  BT139-  500E 600E 800E  
VDRM

 Apagado-estado máximo repetidor

 voltajes

 500 600 800 V
IT(RMS)  Corriente del en-estado del RMS 16 16 16 A
ITSM

 En-estado máximo sin repetición

 actual

 140 140 140 A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FIJACIÓN - SÍMBOLO DEL TIPO DE CONEXIÓN DE TO220AB

                   

PIN DESCRIPCIÓN
1 terminal principal 1
2 terminal principal 2
3 puerta
etiqueta terminal principal 2

Transistores de poder sensibles del silicio del transistor del Mosfet del poder de la puerta BT139-800E de los triacTransistores de poder sensibles del silicio del transistor del Mosfet del poder de la puerta BT139-800E de los triac

 

 

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Etiquetas de productos:

silicon npn power transistor

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