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Las nuevas y originales series del MOSFET SuperFAP-G del poder de Fuji apuntan la especificación 2SK3683

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China Las nuevas y originales series del MOSFET SuperFAP-G del poder de Fuji apuntan la especificación 2SK3683 wholesale
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Las nuevas y originales series del MOSFET SuperFAP-G del poder de Fuji apuntan la especificación 2SK3683
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Número de modelo :2SK3683
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10000PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
voltaje de la Dren-fuente :500 V
Corriente continua del dren :±19 A
Corriente pulsada del dren :±76 A
Voltaje de la Puerta-Fuente :±30 V
Corriente máxima repetidor y sin repetición de la avalancha :19 A
Dren-fuente máxima dV/dt :20 kV/us
Temperatura de funcionamiento :150℃
Gama de temperaturas del ℃ del almacenamiento :-55 ~ +150℃
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Especificación de la blanco de la serie del MOSFET SuperFAP-G del poder de Fuji

2SK3683-01MR (500V/0.38Ω/19A)

 

1) Paquete TO-220F15R

 

2) Grados máximos absolutos (Tc=25℃ salvo especificación de lo contrario)

Características Símbolo Clasificación Unidad
Voltaje de Drain−source   VDS   500    V
Corriente continua del dren   ID   ±19    A
Corriente pulsada del dren   ID(pulso)   ±76    A
Voltaje de la Puerta-fuente   VGS   ±30    V
Corriente máxima repetidor y sin repetición de la avalancha   IAR   19    A
Energía máxima sin repetición de la avalancha   ECOMO   245,3   mJ *1
Dren-fuente máxima dV/dt   dVDS/dt   20   kV/us
Recuperación máxima dV/dt del diodo   dV/dt    5   kV/us *2
Disipación de poder máxima   PD @TC=25℃   95    W
  PD @TA=25℃   2,16    W
Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento   Tch    150      ℃
  Stgde T   -55 ~ +150    ℃

 

 

Características termales

      Artículos   Símbolos   Condiciones de prueba   mínimo.   tipo.   máximo.    Unidades
  Canal al caso   Rth (ch-c)         1,316  ℃/W
  Canal a ambiente   Rth (ch-uno)         58,0  ℃/W

*1 L=1.25mH, Vcc=50V

*2 IF≤-ID, - di/dt=50A/µs, Vcc≤BVDSS, Tch≤150°C

Etiquetas de productos:

dual xeon e5 2683v3

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