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Mosfet nuevo y original 2sk3522 del poder del silicio del canal N del transistor del Mosfet del poder

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Provincia / Estado:guangdong
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China Mosfet nuevo y original 2sk3522 del poder del silicio del canal N del transistor del Mosfet del poder wholesale
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Mosfet nuevo y original 2sk3522 del poder del silicio del canal N del transistor del Mosfet del poder
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Número de modelo :2SK3522
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10000PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Corriente continua del dren :±21 A
Corriente pulsada del dren :±84 A
Voltaje de la Puerta-Fuente :±30 V
Repetidor o sin repetición :21 A
Energía máxima de la avalancha :400 mJ
Dren-fuente máxima dV/dt :20 kV/µs
Temperatura de funcionamiento :°C +150
Gama de temperaturas de almacenamiento :°C -55 a +150
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MOSFET DEL PODER DEL SILICIO DEL CANAL N

 

Dibujos de esquema de las características

Transferencia de alta velocidad Mosfet nuevo y original 2sk3522 del poder del silicio del canal N del transistor del Mosfet del poder

En-resistencia baja

Ningún breadown secundario

Poder de conducción bajo

Avalancha-prueba

 

Usos

Recortes reguladores

UPS (sistema de alimentación ininterrumpida)

Convertidores de DC-DC

 

Diagrama esquemático del circuito equivalente

Mosfet nuevo y original 2sk3522 del poder del silicio del canal N del transistor del Mosfet del poder

 

Grados máximos y grados del máximo del characteristicAbsolute

(Tc=25°C salvo especificación de lo contrario)

           Artículo         Símbolo      Grados    Unidad
  voltaje de la Dren-fuente   VDS    500    V
  VDSX*5    500    V
  Corriente continua del dren   ID    ±21    A
  Corriente pulsada del dren   ID(puls]    ±84    A
  voltaje de la Puerta-fuente    VGS    ±30    V
  Repetidor o sin repetición    IAR *2     21    A
  Energía máxima de la avalancha    ECOMO *1    400   mJ
  Dren-fuente máxima dV/dt    dVDS/dt *4     20  kV/µs
  Recuperación máxima dV/dt del diodo    dV/dt *3      5  kV/µs
  Disipación de poder máxima    PD  Ta=25°C     2,5   W
 Tc=25°C     220   W
  Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento    Tch    +150   °C
   Stgde T   -55 a +150   °C

*1 L=1.67mH, Vcc=50V

*2 Tch 150°C <>

*3 SI - I <>

*4 VDS 500V

*5 V <>

 

Características

Mosfet nuevo y original 2sk3522 del poder del silicio del canal N del transistor del Mosfet del poder

Mosfet nuevo y original 2sk3522 del poder del silicio del canal N del transistor del Mosfet del poder

Mosfet nuevo y original 2sk3522 del poder del silicio del canal N del transistor del Mosfet del poder

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