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TOSHIBA aisló el poder más elevado bipolar del canal N IGBT del silicio del canal N IGBT del silicio del transistor de la puerta que cambiaba 30J127

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Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China TOSHIBA aisló el poder más elevado bipolar del canal N IGBT del silicio del canal N IGBT del silicio del transistor de la puerta que cambiaba 30J127 wholesale
  • China TOSHIBA aisló el poder más elevado bipolar del canal N IGBT del silicio del canal N IGBT del silicio del transistor de la puerta que cambiaba 30J127 wholesale

TOSHIBA aisló el poder más elevado bipolar del canal N IGBT del silicio del canal N IGBT del silicio del transistor de la puerta que cambiaba 30J127
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Número de modelo :30J127
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :5200PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
VCES :600 V
VGES :±20 V
I C :30 A
ICP :60 A
Disipación de poder del colector (Tc = 25°C) :170 W
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TOSHIBA aisló el canal N bipolar IGBT del silicio del transistor de la puerta

GT30J121

TOSHIBA aisló el poder más elevado bipolar del canal N IGBT del silicio del canal N IGBT del silicio del transistor de la puerta que cambiaba 30J127

 

 

Usos de la transferencia del poder más elevado

Usos rápidos de la transferencia

 

• La 4ta generación

• Aumento-modo

• (FS) que cambia rápido:

Frecuencia de funcionamiento hasta 50 kilociclos (referencia)

Velocidad: tf = 0,05 µs (tipo.)

Pérdida baja de la transferencia: Eón = mJ 1,00 (tipo.)

: Eoff = 0,80 mJ (tipo.)

 

• Voltaje de saturación bajo: VCE (sentado) = 2,0 V (tipo.)

 

 

 

Grados máximos (TA = 25°C)

 Características Símbolo   Clasificación  Unidad
voltaje del Colector-emisor  VCES  600 V
voltaje del Puerta-emisor VGES ±20 V
Disipación de poder del colector (Tc = 25°C) PC  170 W
Temperatura de empalme  Tj  150 °C
Gama de temperaturas de almacenamiento  Stgde T −55 a 150   °C

 

Formas de onda del circuito y de la entrada-salida de la medida del tiempo de la transferencia

TOSHIBA aisló el poder más elevado bipolar del canal N IGBT del silicio del canal N IGBT del silicio del transistor de la puerta que cambiaba 30J127

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