Transistor de efecto de campo de TOSHIBA
Tipo del MOS del canal N del silicio (π−MOSIII) 2SK2611
Usos del convertidor de DC−DC, de la impulsión de la retransmisión y de la impulsión del motor
* drain−source bajo EN resistencia: Rdel Ω 1,1delDS(ENCENDIDO) = (tipo.)
* alta entrada de transferencia delantera: |Yfs| = 7,0 S (tipo.)
* corriente baja de la salida: IDSS = μA 100 (máximo) (VDS = 720 V)
* Enhancement−mode: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Peso: 4,6 g (tipo.)
Grados máximos absolutos (TA = 25°C)
| Características |
Símbolo |
Clasificación |
Unidad |
| Voltaje de Drain−source |
VDSS |
900 |
V |
| Voltaje de Drain−gate (RGS = kΩ 20) |
VDGR |
900 |
V |
| Voltaje de Gate−source |
VGSS |
±30 |
V |
| Drene la corriente |
DC (nota 1) |
ID |
9 |
A |
| Pulso (nota 1) |
IDP |
27 |
A |
| Drene la disipación de poder (Tc = 25°C) |
PD |
150 |
W |
| Sola energía de la avalancha del pulso (nota 2) |
ECOMO |
663 |
mJ |
| Corriente de la avalancha |
IAR |
9 |
A |
| Energía repetidor de la avalancha (nota 3) |
EAR |
15 |
mJ |
| Temperatura del canal |
Tch |
150 |
°C |
| Gama de temperaturas de almacenamiento |
Stgde T |
−55~150 |
°C |
Nota: El usar continuamente bajo cargas pesadas (e.g el uso de alta temperatura/de corriente/de voltaje y del cambio significativo en temperatura, el etc.) puede hacer este producto disminuir en la confiabilidad perceptiblemente incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir temperatura de funcionamiento/corriente/voltaje, etc.) están dentro de los grados máximos absolutos. Diseñe por favor la confiabilidad apropiada sobre el repaso del manual de la confiabilidad del semiconductor de Toshiba (“manejando concepto y los métodos de /Derating de las precauciones”) y los datos de confiabilidad individuales (es decir informe de prueba de confiabilidad y porcentaje de averías, etc estimados).
Características termales
| Características |
Símbolo |
Máximo |
Unidad |
| Resistencia termal, canal al caso |
Rdelth(ch−c) |
0,833 |
°C/W |
| Resistencia termal, canal a ambiente |
Rdelth(ch−a) |
50 |
°C/W |
Nota 1: Utilice por favor los dispositivos a condición de que la temperatura del canal esté debajo de 150°C.
Nota 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C (inicial), L = 15 Mh, RG = 25 Ω, IAR = 9 A
Nota 3: Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura máxima del canal
Este transistor es un dispositivo sensible electrostático.
Dirija por favor con cautela.
Marcado
