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Transistores de poder del silicio PNP (usos) del amplificador de potencia 2SA1943

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China Transistores de poder del silicio PNP (usos) del amplificador de potencia 2SA1943 wholesale
  • China Transistores de poder del silicio PNP (usos) del amplificador de potencia 2SA1943 wholesale

Transistores de poder del silicio PNP (usos) del amplificador de potencia 2SA1943
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Número de modelo :2SA1943
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10000PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje de la Colector-Base :-230 V
Voltaje del Colector-Emisor :-230 V
voltaje de la Emisor-base :-5 V
Corriente de colector :-15 A
Corriente baja :-1,5 A
Disipación de poder del colector :150 W
Temperatura de empalme :150℃
Temperatura de almacenamiento :-55~150 ℃
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Transistores de poder del silicio PNP 2SA1943

 

DESCRIPCIÓN

·Con el paquete de TO-3PL Transistores de poder del silicio PNP (usos) del amplificador de potencia 2SA1943

·Complemento para mecanografiar 2SC5200

 

 

USOS

·Usos del amplificador de potencia

·Recomendado para 100W de alta fidelidad

 etapa de la salida del amplificador de la frecuencia de audio

 

 

FIJACIÓN

    PIN    DESCRIPCIÓN
     1   Emisor
     2

  Colector; conectado con

  base del montaje
     3   Base

 

 

 

 

CARACTERÍSTICAS Tj=25℃ salvo especificación de lo contrario

 SÍMBOLO        PARÁMETRO    CONDICIONES    MINUTO    TIPO.   Max   UNIDAD
 (BR)CEO V  voltaje de avería del Colector-emisor  IC=-50mA; IB=0   -230        V
 VCEsat  voltaje de saturación del Colector-emisor  IC=-8A IB=-0.8A       -3,0    V
 VSEA  Voltaje del emisor de base  IC=-7A; VCE=-5V       -1,5    V
 ICBO  Corriente de atajo de colector  VCB=-230V; ES DECIR =0       -5   μA
 IEBO  Corriente del atajo del emisor  VEB=-5V; IC=0       -5   μA
 hFE-1  Aumento actual de DC  IC=-1A; VCE=-5V    55     160  
 hFE-2  Aumento actual de DC  IC=-7A; VCE=-5V    35      
 fT  Frecuencia de la transición  IC=-1A; VCE=-5V      30     Megaciclo
 COB  Capacitancia de salida del colector  f=1MHz; VCB=-10V     360     PF

 

clasificaciones del ‹ hFE-1

      R          O
   55-110       80-160

 

ESQUEMA DEL PAQUETE

Transistores de poder del silicio PNP (usos) del amplificador de potencia 2SA1943

 

 

Transistores de poder del silicio PNP (usos) del amplificador de potencia 2SA1943

 

 

 

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