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Transistor de poder epitaxial del silicio NPN del ISC de los USOS del AMPLIFICADOR DE POTENCIA del transistor del silicio de NPN 2SC5200

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Provincia / Estado:guangdong
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China Transistor de poder epitaxial del silicio NPN del ISC de los USOS del AMPLIFICADOR DE POTENCIA del transistor del silicio de NPN 2SC5200 wholesale
  • China Transistor de poder epitaxial del silicio NPN del ISC de los USOS del AMPLIFICADOR DE POTENCIA del transistor del silicio de NPN 2SC5200 wholesale

Transistor de poder epitaxial del silicio NPN del ISC de los USOS del AMPLIFICADOR DE POTENCIA del transistor del silicio de NPN 2SC5200
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Número de modelo :2SC5200
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :5200PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Capacidad de gran intensidad :IC = 15A.
Disipación de poder más elevado :150watts.
Alta Frecuencia :30MHz
Alta tensión :Vceo=230V
Voltaje de la Colector-Base :230 V
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2SC5200/FJL4315

Transistor epitaxial del silicio de NPN

Usos Transistor de poder epitaxial del silicio NPN del ISC de los USOS del AMPLIFICADOR DE POTENCIA del transistor del silicio de NPN 2SC5200

• Amplificador de alta fidelidad de la salida audio

• Amplificador de potencia de fines generales

 

Características

• Capacidad de gran intensidad: IC = 15A.

• Disipación de poder más elevado: 150watts.

• De alta frecuencia: 30MHz.

• Alto voltaje: VCEO=230V

• S.O.A ancho para la operación confiable.

• Linearidades excelentes del aumento para THD bajo.

• Complemento a 2SA1943/FJL4215.

• Los modelos termales y eléctricos de la especia están disponibles.

• El mismo transistor está también disponible en:

-- Paquete de TO3P, 2SC5242/FJA4313: 130 vatios

-- TO220 paquete, FJP5200: 80 vatios

-- Paquete de TO220F, FJPF5200: 50 vatios

 

Ratings* máximo absoluto TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo  Parámetro  Grados Unidades
BVCBO 230 V Voltaje de la Colector-base de BVCBO  230  V
CEODE LA BV Voltaje del Colector-emisor  230  V
BVEBO   Voltaje 5 V de la Emisor-base de BVEBO 5  V
IC   Corriente de colector (DC) 15 A
IB  Corriente baja 1,5  A
PD

Disipación total del dispositivo (TC=25°C)

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

150

1,04

W

W/°C
TJ, TSTG  Temperatura del empalme y de almacenamiento - 50 ~ +150 °C

 

Características típicas

Transistor de poder epitaxial del silicio NPN del ISC de los USOS del AMPLIFICADOR DE POTENCIA del transistor del silicio de NPN 2SC5200

Etiquetas de productos:

rectifier semiconductor

complementary silicon power transistors

sdi to composite converter
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