Circuitos de supervisión ADM691AARNZ del circuito integrado el de microprocesador nuevo y original

 
 
Circuitos de supervisión del microprocesador
ADM691A/ADM693A/ADM800L/M
 
BLOQUE DIAGRAMA FUNCIONAL DE LAS CARACTERÍSTICAS
Bajo consumo de energía:
Monitor de voltaje de la precisión
Tolerancia del ±2% en ADM800L/M
Reajuste al ms del tiempo Delay-200, o ajustable
1 corriente espera del µA
Transferencia automática del poder de la copia de seguridad de batería
Ayuna el bloquear a bordo del microprocesador permite señales
También disponible en el paquete de TSSOP (ADM691A)
 
USOS
Sistemas del microprocesador
Ordenadores
Reguladores
Instrumentos inteligentes
Sistemas automotrices C
supervisión ritical del poder del µP
 
 
DESCRIPCIÓN GENERAL
La familia de ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M de circuitos de supervisión ofrece las solas soluciones completas del microprocesador para las funciones de control de la supervisión y de la batería de la fuente de alimentación en sistemas del microprocesador. Estas funciones incluyen el reset del µP, intercambio de la copia de seguridad-batería,
el reloj de vigilancia, Cmos RAM escribe la protección, y
advertenciadel fracaso del poder. La familia de productos proporciona una mejora para la familia de MAX691A/93A/800M de productos.
 
Todas las piezas están disponibles en la INMERSIÓN de 16 pernos y empaquetan TAN. El ADM691A está también disponible en un paquete del ahorro de espacio TSSOP. Se proporciona la función siguiente:
 
1. Poder-en el reset hecho salir durante ciclo inicial, condiciones del poder-abajo y del apagón. El conjunto de circuitos sigue siendo operativo con VCC tan bajo como 1 V.
 
2. Transferencia de la copia de seguridad de batería para el microprocesador del Cmos RAM, del Cmos o la otra lógica de la energía baja.
 
3. Un pulso de reset si el reloj de vigilancia opcional no se ha conectado dentro de un tiempo especificado.
 
4. Un detector del umbral de 1,25 V para la advertencia del fall del poder, la detección baja de la batería, o supervisar una fuente de alimentación otra
    que +5 V.
 
 
MÁXIMO ABSOLUTO RATINGS*
(TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
V_cc…………………………… – 0,3 V a +6 V
V_BATERÍA…………………………. – 0,3 V a +6 V
El resto de las entradas……………. – 0,3 V a VOUT + 0,5 V
Corriente de entrada
  V_cc (pico)…………………………. 1000 mA
  V_cc (continuo)……………………… 250 mA
  V_batería (pico)………………………… 250 mA
  V_batería (continua)……………………. 25 mA
Tierra, batería EN………………………… 100 mA
Corriente de salida de Digitaces……………………… 25 mA
Disipación de poder, N-16 INMERSIÓN………………… 842 mW
  impedancia termal del θϑA…………………. 135°C/W
Disipación de poder, R-16 estrecho SOIC…………. 700 mW
  impedancia termal…………………… .110°W del θ_JA
Disipación de poder, R-16 SOIC ancho……………. 762 mW
  impedancia termal del θ_JA……………………. 110°C/W
Disipación de poder, RU-16 TSSOP……………… 500 mW
  impedancia termal del θ_JA……………………. 158°C/W
Gama de temperaturas de funcionamiento
(Una versión)…………………… – 40°C industrial a +85°C
Lleve la temperatura (el soldar, sec 10)………. V.… +300°C
  Fase de vapor (sec 60)…………………………. 215°C
  Infrarrojo (sec 15)……………………………. +220°C
Gama de temperaturas……………… – 65°C de almacenamiento a +150°C
 
los *Stresses sobre ésos enumerados bajo “grados máximos absolutos” pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es una tensión que valora solamente y la operación funcional del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos enumerados en las secciones operativas de esta especificación no se implica. La exposición a los grados máximos absolutos por periodos de tiempo extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo.
 
GUÍA QUE ORDENA