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Sintetizador integrado y VCO ADF4360-4BCPZ del microprocesador del circuito integrado

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Sintetizador integrado y VCO ADF4360-4BCPZ del microprocesador del circuito integrado

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Número de modelo :ADF4360-4BCPZ
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :3600PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Gama de frecuencia de la salida :1450 megaciclos a 1750 megaciclos
AVDD a GND1 :V de −0.3 V a +3,9
AVDD a DVDD :V de −0.3 V a +0,3
VVCO a la tierra :V de −0.3 V a +3,9
VVCO a AVDD :V de −0.3 V a +0,3
Voltaje de la entrada-salida de Digitaces a la tierra :−0.3 V a VDD + 0,3 V
REFIN a la tierra :−0.3 V a VDD + 0,3 V
Temperatura de empalme máxima :150°c
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Sintetizador integrado y VCO ADF4360-4

 

CARACTERÍSTICAS

Gama de frecuencia de la salida: 1450 megaciclos a 1750 megaciclos

Salida Divide-by-2

3,0 fuente de alimentación de V a de 3,6 V

1,8 compatibilidad de la lógica de V

Sintetizador del número entero-n

Prescaler programable 8/9, 16/17, 32/33 del dual-módulo

Nivel de potencia de salida programable

interfaz en serie del 3-alambre

La cerradura análoga y digital detecta

Modo del poder-abajo del soporte físico y del software

 

USOS

Microteléfonos inalámbricos (DECT, G/M, PCS, DCS, WCDMA)

Equipo de prueba

LANs inalámbrico

Equipo de CATV

 

DESCRIPCIÓN GENERAL

El ADF4360-4 es un sintetizador completamente integrado y un oscilador voltaje-controlado (VCO) del número entero-n. El ADF4360-4 se diseña para una frecuencia central de 1600 megaciclos. Además, una opción divide-by-2 está disponible, por el que el usuario consiga una salida del RF entre de 725 megaciclos y de 875 megaciclos.

 

El control de todos los registros del en-microprocesador está a través de un interfaz simple de 3 alambres. El dispositivo actúa con una fuente de alimentación que se extiende a partir de 3,0 V a 3,6 V y puede ser accionado abajo de cuando es parado.

 

BLOQUE DIAGRAMA FUNCIONAL

 

Sintetizador integrado y VCO ADF4360-4BCPZ del microprocesador del circuito integrado

 

CARACTERÍSTICAS DE LA SINCRONIZACIÓN 

AVDD = DVDD = VVCO DE = ± EL 10% 3,3 V; AGND = DGND = 0 V; 1,8 V y 3 niveles de la lógica de V usados; TA = TMIN a TMAX, a menos que se indicare en forma diferente.

  Parámetro  Límite en TMIN a TMAX (versión de B)     Unidad    Condiciones de prueba/comentarios

    T1

   20

   minuto del ns    Tiempo de disposición del LE
    t2    10    minuto del ns    DATOS PARA REGISTRAR tiempo de disposición
    T3    10    minuto del ns    DATOS PARA REGISTRAR tiempo de control
    t4    25    minuto del ns    Alta duración del RELOJ
    t5    25    minuto del ns    Duración baja del RELOJ
    t6    10    minuto del ns    RELOJ al tiempo de disposición del LE
    t7    20    minuto del ns    Anchura de pulso del LE

 

Sintetizador integrado y VCO ADF4360-4BCPZ del microprocesador del circuito integrado

 

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS TA = 25°C, a menos que se indicare en forma diferente.

               Grado del parámetro

     DDdel sistema de pesos americano a la tierraV de −0.3 V a +3,9

     DDdel sistema de pesos americano aDD V de −0.3 V a +0,3 de DV

     VVCO a la tierra V de −0.3 V a +3,9

     VVCO aDD V de −0.3 V a +0,3 del sistema de pesos americano

     Voltaje de la entrada-salida de Digitaces a la tierra −0.3 V a VDD + 0,3 V

    Voltaje análogo de la entrada-salida a la tierra −0.3 V a VDD + 0,3 V

    ReferenciaADENTRO a la tierra −0.3 V a VDD + 0,3 V

    Gama de temperaturas de funcionamiento

          Temperatura de empalme máxima 150°C

    Impedancia la termaldel θJA de CSP

         (Paleta soldada) 50°C/W

         (Paleta no soldada) 88°C/W

    Temperatura de la ventaja, soldando

          Fase de vapor (60 sec) 215°C

          (Sec 15) 220°C infrarrojo

1 TIERRA = AGND = DGND = 0 V.

 

Las tensiones sobre ésas enumeradas bajo grados máximos absolutos pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es una tensión que valora solamente; la operación funcional del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en las secciones operativas de esta especificación no se implica. La exposición a las condiciones del grado máximo absoluto por períodos extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo. Este dispositivo es un circuito integrado del RF del alto rendimiento con un grado del ESD de <1 kV="" and="" it="" is="" ESD="" sensitive="">

 

 

Carro de la investigación 0