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Estado octal 74HC245PW del microprocesador 3 del circuito integrado del transmisor-receptor del autobús

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Estado octal 74HC245PW del microprocesador 3 del circuito integrado del transmisor-receptor del autobús

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Número de modelo :74HC245PW
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :20000pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Característica 1 :Interfaz de autobús bidireccional octal
Característica 2 :No-inversión de 3 salidas del estado
Característica 3 :Opciones múltiples del paquete
Característica 4 :Cumple con el estándar no 7A de JEDEC
Protección 1 del ESD :HBM EIA/JESD22-A114-B excede 2000 V
Protección 2 del ESD :El milímetro EIA/JESD22-A115-A excede 200 V
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1. Descripción general

 

El 74HC245; 74HCT245 es un dispositivo de alta velocidad de la Si-puerta Cmos y es perno compatible con Schottky de baja potencia TTL (LSTTL).

 

El 74HC245; 74HCT245 es un transmisor-receptor octal que ofrece el autobús de no-inversión de 3 estados que las salidas compatibles en envían y que reciben direcciones. El 74HC245; 74HCT245 ofrece una salida permite entrar (OE) para la conexión en cascada fácil y un envío/recibe la entrada (DIR) para el control de la dirección. OE controla las salidas para aislar los autobuses con eficacia.

 

El 74HC245; 74HCT245 es similar al 74HC640; 74HCT640 pero tiene salidas (de no-inversión) verdaderas.

 

 

2. Características

 

Interfaz de autobús bidireccional octal del ■

■ No-que invierte 3 salidas del estado

Opciones múltiples del paquete del ■

El ■ cumple con el estándar no 7A de JEDEC

Protección del ESD del ■:

   El ◆ HBM EIA/JESD22-A114-B excede 2000 V

   El ◆ milímetro EIA/JESD22-A115-A excede 200 V

■ especificado del °C −40 al °C +85 y del °C −40 al °C +125

 

 

3. Datos de referencia rápida

TIERRA = 0 V; Ambde T = °C 25; tr = tf = 6 ns

Símbolo Parámetro Condiciones Minuto Tipo Máximo Unidad
Mecanografíe 74HC245
tPHL, tPLH

retraso de propagación

A los Bn o a los Bn a

CL = 15 PF;

VCC =5V

- 7 - ns
CI capacitancia de la entrada   - 3,5 - PF
ENTRADA-SALIDADE C capacitancia de la entrada-salida   - 10 - PF
PALADIODE C

capacitancia de la disipación de poder por

transmisor-receptor

VI = tierra a Vcc [1] - 30 - PF
Mecanografíe 74HC245
tPHL, tPLH

retraso de propagación

A los Bn o a los Bn a

CL = 15 PF;

VCC =5V

- 10 - ns
CI capacitancia de la entrada   - 3,5 - PF
ENTRADA-SALIDADE C capacitancia de la entrada-salida   - 10 - PF
PALADIODE C

capacitancia de la disipación de poder por

transmisor-receptor

VI = tierra a

VCC DE − 1,5 V

[1] - 30 - PF

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

[1]paladiode C se utiliza para determinar la disipación de poder dinámica (PD en µW):

Pcc2 de ×del × fidel × V delpaladio deD = de C N + ∑ (del CL de × FOdel × Vcc2) donde:

fi = frecuencia entrada en el megaciclo;

fo = frecuencia hecha salir en el megaciclo;

CL = capacitancia hecha salir de la carga en el PF;

V voltaje delcc = de fuente en V;

N = número de cambiar de las entradas;

∑ (CL de × fodel × Vcc2) = suma de salidas.

 

 

4. Diagrama funcional

 

Estado octal 74HC245PW del microprocesador 3 del circuito integrado del transmisor-receptor del autobús

Carro de la investigación 0