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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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100V 80A, transistor del Mosfet del poder 9mз calificó a la capacidad FDB3632 del AEC Q101 UIS

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Número de modelo :FDB3632

Lugar del origen :Tailandia

Cantidad de orden mínima :20pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal

Capacidad de la fuente :5200PCS

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

Drene al voltaje de la fuente :100 v

Puerta al voltaje de la fuente :±20 V

Continuo (T 80 A.C. < 111oC, VGS = 10V) :80 A

Continuo (Tamb = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 43oC/W) :12 A

Sola energía de la avalancha del pulso (nota 1) :393 mJ

Disipación de poder :310 W

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FDB3632/FDP3632/FDI3632

MOSFET 100V, 80A, 9mΩ de PowerTrench® del canal N

Características

• rDS (ENCENDIDO) = 7.5mΩ (tipo.), VGS = 10V, identificación = 80A

• Qg (bebé) = 84nC (tipo.), VGS = 10V

• Carga baja de Miller

• Diodo bajo del cuerpo de QRR

• Capacidad de UIS (solo pulso y pulso repetidor)

• Calificado al tipo de desarrollo 82784 del AEC Q101 antes

Usos

• Convertidores de DC/DC y UPS off-line

• Arquitecturas distribuidas y VRMs del poder

• Interruptor primario para los sistemas 24V y 48V

• Rectificador síncrono de alto voltaje

• Inyección directa/sistemas de inyección diesel

• control de carga automotriz 42V

• Sistemas electrónicos del tren de válvula

Etiquetas de productos:

uln2803 ic

nec lt280

power igbt datasheet

Carro de la investigación 0